管状ZnO材料自组织可控生长及光电性能的研究.pdfVIP

摘 要 宽禁带半导体材料Zn0以其优良的光学和电学性能引起人们广泛的研究 兴趣。随着Zn0颗粒尺度的不断减小，其量子限制效应越来越明显；Zn0的 自组织行为，使人们可以获得许多形态各异，特殊用途的低维材料及其器件。 本论文全面概述了Zn0和低维材料的性质、特点、制各方法及研究发展现状， 特别是对Zn0低维材料的研究现状和发展前景作了全面的介绍。并采用水热 法成功制备了管状ZnO。并通过大量的实验科学分析，证明其生长情况与生 长条件(温度，浓度，保温时间，悬挂方式，填充度等)密切相关，得到了 水热条件下管状ZnO的最佳生长工艺条件及其生长过程中各个阶段的具体 形貌特征。 对ZnO六棱微米管的性能进行初步探索，经过大量、反复的分析测试， 证实了Au／ZnO形成的金属与半导体的接触是欧姆接触，且电阻较小，约为 27 Q；n—ZnOlp—Si异质结，正向和反向电流均随外加电压按指数函数关系增 大，符合突变反型异质结的扩散模型的正反向势垒的情形；在波长为365nm 的紫光在照射下，异质结出现光生伏特效应，可作为紫外光探测器；频率小 于107Hz时，管状ZnO的介电性能保持不变，具有很好的高频响应特性：室 温下，在波长为380nm处有一较强的光致发射峰，随着温度的降低，谱峰发 生蓝移；实验结果表明ZnO六棱微米管在200(2左右对乙醇、氢气等有良好 的气敏性能，且较薄膜型ZnO气敏传感器的工作温度(约450。C)大大降低。 关键字 ZnO六棱微米管低维材料自组织生长光电性能 Abstract Zinc isa oxide(ZnO) semiconductorthat wide—bandgap possesses excellent andelectronic a optical as resultit properties，and a stimulatesbroad of interest．Its rangeresearching quantum confinementeffectsbecomemoreandmorevisiblewith in decreasing sizeofZnO low-dimensional particles．ZnO materials，whichhave various and devicecanbe shapesspecial properties，and acquired ZnO Inthis throughself—organizedgrowth． paper，properties， methodsand of ZnO characteristics．prepared development low-dimensionalmaterialshavebeen fully and ofZnO ZnO