纤锌矿结构InGaNGaN量子阱中的激子态和类氢施主杂质态.pdfVIP

摘要 在纤锌矿结构InGaN／GaN量子阱中存在着由压电极化和白发极化引起的很强的内 建电场，它对量子阱的性质有着很大的影响。本论文在有效质量近似理论和包络函数理 论的基础上，考虑内建电场的作用，运用变分的方法计算了纤锌矿InGaN／GaN量子阱 结构中的激子态，垒宽对纤锌矿InGaN／GaN量子阱结构中激子态的影响和纤锌矿结构 InGaN／GaN量子阱中的类氢施主杂质态，分析研究了它们的相关性质随量子阱 staggered 结构参数的变化规律，并且探讨了内建电场和量子受限的竞争效应。对计算结果讨论后 得出如下结论。 结合能、带间光跃迁能和积分吸收几率有着很大的影响。随着阱宽的变化激子结合能有 一个极大值。对任意的InGaN／GaN量子阱，内建电场的存在使激子结合能、带间光跃 迁能和积分吸收几率下降。In含量的变化对窄阱内的激子态和相关光学性质影响非常明 显；而内建电场对宽阱内的激子态和相关光学性质影响更显著。特别地，由于内建电场 的作用，当InGaN／GaN量子阱的阱宽大于4nm时积分几率下降到零，这与不考虑电场 时有着很大的不同。 有限垒宽模型下，纤锌矿结构InGaN／GaN量子阱中的基态激子的结合能、带问光 跃迁能和积分吸收几率明显地依赖于垒宽及其它结构参数。当垒宽增加时，激子结合能 和积分吸收几率都是先减小然后当垒宽大于8nln时不再变化。而带间光跃迁能在垒宽 大于某一垒宽时也不再随垒宽变化而改变，而且这一垒宽随阱宽的增加而增加。随着阱 宽的增加，激子结合能和积分吸收几率都有一个极大值而带间光跃迁能却一直下降。特 别地，当阱宽大于6am时，积分吸收几率趋近于零。当In含量增加时，对于窄量子阱， 由于内建电场和量子受限的竞争，激子结合能先增加后减小；而对于宽量子阱，激子结 合能一直减小。 在staggered 化有一个极大值而且这个极大值对应的杂质位置在In。Gal．vN层中。对于任意位置的杂 质，当In含量Y大于0．125时，施主结合能对In含量y的增加变化不明显。随着阱宽L T 的增加，对于位于Zi=．L，一L／2，0和L／2的杂质，施主结合能逐渐下降。而对于位于 Ino 互竞争，施主结合能在2nlTI附近有一个极小值，直到阱宽大于3nln时，施主结合能不 再随阱宽的增加而变化。 关键词：量子阱，内建电场，类氢杂质态，激子态 ABSTRACT elec‘7ic isa built—in strong wells(QWs)structure．there quantum ln、Ⅷrtzite(WZ)InGaN／GaN the the of affects Qw5 the and properties fieldcaused polarization，which by spontaneouspiezoelectric state5inwz