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党智敏-2013-聚酰亚胺基介电复合薄膜的制备及其性能研究-会议-0.pdf

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党智敏-2013-聚酰亚胺基介电复合薄膜的制备及其性能研究-会议-0

2013 年 10 月 12 日-16 日 2013 年全国高分子学术论文报告会 中国 上海 LO-19 聚酰亚胺基介电复合薄膜的制备及其性能研究 刘倩,黄二全,赵军,查俊伟,党智敏 北京科技大学化学与生物工程学院高分子科学与工程系,北京,100083 本文以热稳定性能优异的聚酰亚胺(PI )作为基体,通过添加不同含量的钛 酸锶钡 (Ba0.2Sr0.8TiO3 ,BST )陶瓷作为填料,采用原位聚合的方法,制备出PI/BST 复合材料薄 膜。利用扫描电子显微镜 (SEM)、阻抗分析仪对复合材料的形貌和介电性能进行了系统研究。 结果表明,BST 在 PI 基体中能够均匀分散。当 BST 的体积分数为 30 vol %时,其介电常数 达到 14,而介电损耗仅为 0.32 。该材料可以用于电子元器件的制备,如介质滤波器、微带天 线等。 关键词:聚酰亚胺,钛酸锶钡,介电性能 849

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