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党智敏-2014-介电高分子复合材料研究新进展-功能材料
高层论坛
Authority Forum
介电高分子复合材料研究新进展介电高分子复合材料研究新进展介电高分子复合材料研究新进展
党智敏 赵军 任粒
(北京科技大学化学与生物工程学院高分子科学与工程系,
介电高分子材料与器件实验室,北京100083)
摘 要 :本文通过总结近3年来国内外在介电高分子复合材料领域的最新研究进展,归纳了影
响材料介电常数(ε)、损耗正切(tan δ)以及击穿场强(E )等性能的几个主要因素,
b
如聚合物基体、填料的自身特性和分散以及二者之间的相互作用等。然后对该领域的发
展现状和前景进行了总结和展望。希望对国内介电高分子复合材料的发展起到一定的推
动作用。
关键词:介电高分子;复合材料;介电常数;损耗正切;表面改性;空间排列
1引言
近几 十 年 来 , 介 电 高 分 子 材 料 由 一 般 需 要 添 加 填 料 量 高 于 5 0 vol% 。
于其优异的综合性能而日益引起学术界和 这显然会损害材料的加工性能、力学性能
工业界的广泛关 注 [ 1 - 3 ] 。 与 传 统 的 介 电 以及表面光洁度等。同时,材料中也会产
材料(主要是陶瓷)相比,介电高分子材 生大量的空洞和缺陷,特别是无机颗粒与
料的优势主要表现 在 绝 缘 电 阻 高 、 损 耗 聚合物之间大量的界面区域,从而导致材
正切(tan δ)低、击穿场强(E )高、 料的E 大幅降低。而对于依靠添加高σ填
b b
力学性能优良、加工条件温和以及价格便 料的体系来说, 其 提 高 ε的 途 径 是 利 用
宜等方面 。 但 对 于 很 多 需 要 高 介 电 逾渗机 理(依赖于填料形状和长径比,填
常 数(ε)电介 质材料的 领 域 , 如 储 能 料含量为16 vol%或更低)。但是,此 时 体
电容器、感应器以及驱动器等,这些高分 系的t a n δ 和σ都会很高,而E 会很低。
b
子材料的 ε 仍 然 较 低 ( 室 温 下 通 常 为解决这些问题,如何大幅降低填料
低 于10)是制约其应 用 的 重要原因。目 的含量似乎是关键。本文正是基于这一背
前 已有多种方法用以 提 高 高 分子材料的 景,通过总结近3年来国内外在介电高分子
ε,其中,化学方法相对昂贵和复杂,而 复合材料领域的最新研究进展,归纳了影
物理方法相对便宜和简便,因此,后者更为 响材料ε、tan δ以及E 等性能的几个主要
b
工业界所接受。 因素,如聚合物基体、填料的自身特性和
最常用的提高高分 子 材 料 ε 的 方 法 分散以及二者之间的相互作用等。然后对
是向聚合物基体 中 加 入 高 ε 的 陶 瓷 或 高 该领域的发展现状和前景进行了总结和展
电导率(σ)的金属或碳材料等来制备复 望,提出了一些可能的措施,希望进一步推
合材料。虽然 该 领 域 正 取 得 日 新 月 异的
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