碳化硅MOSFET 桥臂电路串扰抑制方法.PDF

第３４卷 第５期 电工 电能新 技 术 Ｖｏｌ．３４，Ｎｏ．５ ２０１５年５月 Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ ａｎｄ Ｅｎｅｒｇｙ Ｍａｙ２０１５ 碳化硅ＭＯＳＦＥＴ桥臂电路串扰抑制方法 钟志远，秦海鸿，袁　 源，朱梓悦，谢昊天 （江苏省新能源发电与电能变换重点实验室，南京航空航天大学，江苏 南京２１００１６） 摘要：与硅ＭＯＳＦＥＴ相比，碳化硅ＭＯＳＦＥＴ更加有利于满足变换器高效率、高功率密度和高可靠性 的发展要求。 然而在桥臂电路中，上下管之间的串扰问题严重限制了碳化硅ＭＯＳＦＥＴ性能优势的 发挥。 本文在分析了串扰问题产生机理的基础上，采用了一种改进的基于ＰＮＰ三极管的有源密勒 箝位方法，对串扰进行了有效抑制，并搭建了双脉冲测试平台进行实验验证。 实验结果表明，改进 的方法能够获得较好的串扰抑制效果，对碳化硅 ＭＯＳＦＥＴ 的驱动电路设计具有一定指导意义。 关键词：碳化硅；桥臂电路； 串扰抑制；有源密勒箝位 中图分类号：ＴＮ７１３４　 　 　 　 　 文献标识码：Ａ　 　 　 文章编号：１００３⁃３０７６（２０１５）０５⁃０００８⁃０５ 素之间的数量关系；在此基础上对ＰＮＰ三极管有源 １　 引言 密勒箝位驱动电路进行了改进，弥补了原有方法的 与传统硅ＭＯＳＦＥＴ相比，碳化硅ＭＯＳＦＥＴ具有 不足，在不增加电路复杂性的情况下，有效减小了栅 击穿电压高、工作频率高和工作温度高等优点。 为 极串扰电压的大小；并以Ｃｒｅｅ公司的碳化硅 ＭＯＳ⁃ 了满足变换器高效率的发展要求，功率器件的开关 ＦＥＴ ＣＭＦ１０１２０Ｄ 为例，搭建了双脉冲测试电路，对 ［１⁃３］ 改进的驱动电路的串扰抑制效果进行了实验验证。 速度要尽可能提高，从而减小开关损耗 。 然而 在桥臂电路中，要充分发挥碳化硅 ＭＯＳＦＥＴ 的性能 ２　 ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ桥臂电路串扰产生机理 优势，同时保证变换器的可靠性，如何抑制上下管之 间的相互干扰（简称为串扰）成为电路设计的关键 桥臂电路是一种常用的电路结构，含有两个串 ［４⁃６］ 联的互补导通的开关器件，其主要应用拓扑包括双 问题之一 。 串扰抑制方法可分为无源抑制方法和有源抑制 向ＤＣ⁃ＤＣ变换器、半桥变换器和全桥变换器等。 桥 ［７⁃１０］ 臂电路中开关管在高速开关动作时，上下管之间的 方法 。 无源抑制方法包括在ＭＯＳＦＥＴ栅源极外 并电容、增大驱动电阻等，这些方法会增加开关损 串扰会变得比较严重。 当开关管栅极串扰电压超过 耗，效果并不理想。 文献［７］在 ＭＯＳＦＥＴ 栅极增加 门极开启电压阈值，就会使处于关断状态的开关管 ［１０］ 了三极管，发生串扰时将栅极短接到源极，但栅极串 导通，引发桥臂直通问题 。 此外，当串扰电压超 扰电压的精确检测比较困难且过快的关断速度会加 过门极最大电压范围时还会导致器件失效，因此串 剧栅极负向串扰电压；文献［１０］通过增加辅助开关 扰问题严重限制了碳化硅器件性能优势的发挥。 图 管，提出了两种有源密勒箝位驱动电路，虽然获得了 １为下管开通瞬间，上管串扰的产生机制原理图，桥 较好的抑制效果，但是需要增加辅助ＭＯＳＦＥＴ及其 臂电路由上下两个开关管 Ｑ 、Ｑ 及其驱动电路构