应用于纳米制造的新型电子束抗蚀剂Calixarene的工艺研究.pdfVIP

第7卷第3期 纳米技术与精密工程 V01．7No．3 andPrecision 2009 2009年5月 NanotechnologyEngineering May 应用于纳米制造的新型电子束抗蚀剂 Calixarene的工艺研究 南3 赵 珉1，陈宝钦1，刘 明1，任黎明2，谢常青1，朱效立1，安 (1．中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成实验室，北京100084；2．北京大学物理学院，北京100871； 3．国家纳米科学中心，北京100080) 摘要：为了满足电子束光刻(EBL)对高分辨率、性能优秀抗蚀剂的需求，研究了将Calixarene衍生物作为电子柬 JBX-5000LS系统 抗蚀剂在胶液配制、电子束曝光及显影等工艺过程中的相关技术．其中电子束曝光实验在JEOL 上进行．实验结果表明，在入射电子能量50keY、束流50pA的条件下，Calixarene可以方便地形成50咖的单线、50 nln等线宽与间距的图形结构．通过与常用电子束抗蚀剂的对比，总结了Calixarene在电子束光刻性能上的优缺点， 并分析了其成因．作为一种新型的高分辨率电子柬光刻抗蚀剂，Calixarene有望应用在纳米结构制造、纳米尺寸器 件及电路的研制等领域． 关键词：纳米制造；电子束光刻；工艺技术；电子束抗蚀剂；Calixarene 中图分类号：TN305．7；TN405文献标志码：A 文章编号：1672-6030(2009)03-0275-04 Beam Resist ProcessResearchofNovelElectronLithography CalixareneUsedinNanofabrication ZHAO Nan3 Minl，CHEN Xiao—lil，AN Bao—qinl。LIUMin91，RENLi—ruin92，XIEChang．qin91，ZHU ofNano·FabricationandNovelDevices (1．KeyLaboratory IntegratedTechnology， Instituteof of Microelectronics，Chinese 100084，China； AcademySciences，Beijing of 2．DepartmentPhysics，PekingUniversity，Beijing100871，China； 3．NationalCenterforNanoscienceand 100080，China) Technology，Beijing ordertomeetelectronbeam for resolution