半导体器件物理期末试题 - 吉林大学课程中心.PDF

半导体器件物理期末试题（A ）  （电子科学与工程学院2002 级 2005 年 6 月 考试时间 150 分钟） 一、[35 分] 回答下列问题 基区穿通 MOSFET 的阈值电压 基区宽度调变效益 等电子陷阱 P-I-N 光电二极管中“I ”层的作用 外量子效率 雪崩击穿 二、[10 分] 长 PN 结处于反向偏压，解扩散方程求出少数载流子分布，电流分布和总电流 的表达式。说明反向饱和电流的产生机制。 三、[10 分] 画出金属与 P 型半导体接触处于热平衡时的能带图。 （a ）qΦ qΦ m s （b ）qΦ qΦ m s 四、[15 分] 以N 沟 MOS 为例 a、 画出结构示意图并说明 MOSFET 的工作原理 b、 导出理想 MOS 的沟道电导和阈值电压的表达式 c、 说明增强型（常闭）和耗尽型（常通）MOSFET 的区别，设计一种 N 沟耗尽型 MOSFET ，说明其工作原理 五、[10 分] 热平衡 PN 结中存在着内建电势差 a、 将 PN 结短路，会不会有电流通过？为什么？ b 、 能不能用万用电表测量出该电势差？为什么？ 六、[10 分] 下图为结型场效应晶体管的低频小信号等效电路图，其中RS 为源极电阻。证明： I DS gm I DS 由于R 的存在，晶体管的跨导变成gm ≡ 式中 gm 为忽略R 时 S s V 1+ g R V gs m s gs 的跨导。 七、[10 分] NPN 晶体管处于饱和工作模式，写出少子边界条件(x −xE , −wE ,0, xB , xC , ∞) ， 并画出少子分布示意图。 2002 级《半导体器件物理》考试题（B ）卷  x −x0 1 PN 结杂质分布如下图所示，P 区重掺杂，N 区杂质分布为N d N e L ，推导C −V 0 T R 特性表达式。 （总分10 分） 2 在p + −n 结二极管中，n 区的宽度W 远小于L ，用I qS=Δp A (S 为表面复 n p p x W n n 合速度)作为 n 侧末端的少数载流子电流，并以此为边界条件之一，推导出载流子和电 流分布。绘出在S=0 和S=∞时 n侧少数载流子的分布形状。 （总分 10 分） 3 采用叠加法证明当氧化层中电荷分布为ρ(x ) 时，相应的平带电压变化可用下式表示： q x0 xρ(x) V dx Δ =−