绪论;带电质点的产生.pptVIP

1. 将电子崩和阴极上的γ过程作为气体自持放电的决定因素是汤逊理论的基础。 2. 汤逊理论的实质是：电子碰撞游离是气体放电的主要原因，二次电子来源于正离子撞击阴极表面使阴极表面逸出电子，逸出电子是维持气体放电的必要条件。 3. 阴极逸出电子能否接替起始电子的作用是自持放电的判据。 总结： （三）巴申定律 当气体和电极材料一定时，气隙的击穿电压(Ub)是气压(p) (或气密 ）和气隙距离(d)乘积的函数，即Ub= f (pd)。 * 1、巴申曲线 巴申曲线表明，改变极间距离d的同时，也相应改变气压p而使pd的乘积不变，则极间距离不等的气隙击穿电压却彼此相等。 2、定性分析 (1) d一定时： a、P较小时：↓P→碰撞次数进一步↓→有效碰撞次数↓ →Ub↑ * 由此分析可知：当极间距离d不变时提高气压或降低气压到真空，都可以提高气隙的击穿电压。这一概念具有十分重要的实用意义。 工程应用：压缩空气开关、真空开关等 (2) P一定时 a、d较小时：进一步↓d（与 差不多）→碰撞次数少→ 无足够的碰撞次数→Ub↑ b、d较大时：↑d→E↓→不易游离→Ub↑ 意义：减小或增大d，都能使击穿电压提高。 ↑P→平均自由行程 ↓→碰撞次数↑，不 易积累足够游离能(只碰撞不游离)→有效碰撞次数↓→Ub↑ b、P较大时： * （四）汤逊理论的适用范围 汤逊理论是在低气压pd 较小条件下建立起来的，pd 过大，汤逊理论就不再适用； pd过大时（气压高、距离大）汤逊理论无法解释： 放电时间：很短 放电外形：具有分支的细通道 击穿电压：与理论计算不一致 阴极材料：无关 汤逊理论适用于pd26.66kPa·cm * 三、高气压下均匀场自持放电的流注理论 以自然界的雷电为例，它发生在两块雷云之间或雷云与大地之间，这时不存在金属阴极，因而与阴极上的γ过程和二次电子发射根本无关。 气体放电流注理论以实验为基础，考虑了高气压、长气隙情况下不容忽视的若干因素对气体放电的影响，主要有以下方面： 空间电荷对原有电场的影响 空间光游离的作用 * 1、空间电荷对原有电场的影响 电子崩头部聚集大部分正离子和全部电子，产生了电场畸变； 崩头前方和后方处电场增强，崩头内部正、负电荷交界处出现一弱电场区，此处电子和离子浓度最大，有利于完成复合； 强烈的复合辐射出许多光子，成为引发新的空间光游离辐射源。 电场加强区域（崩头前方附近）利于分子的激发，易放出光子。 * 2、空间光游离的作用 考虑初始电子崩头部成为辐射源，会向气隙空间各处发射光子而引起光游离。 如图所示：如果这时产生的光子位于崩头前方和崩尾附近的强场强区，则造成的二次电子崩将以更大的游离强度向阳极发展或汇入崩尾的正离子群中。 这些游离强度和发展速度远大于初始电子崩的二次电子崩不断汇入初崩通道的过程称为流注。 流注形成过程示意图 * 3、流注的形成和发展示意图 a、起始电子发生碰撞游离形成初始电子崩； b、初崩发展到阳极，正离子作为空间电荷畸变原电场，加强正离子与阴极间电场，放射出大量光子； c、光游离产生二次电子，在加强的局部电场作用下形成二次崩； * d、二次崩电子与正空间电荷汇合成流注通道，其端部又有二次崩留下的正电荷，加强局部电场产生新电子崩使其发展； e、流注头部游离迅速发展，放射出大量光子，引起空间光游离，流注前方出现新的二次崩，延长流注通道； f、流注通道贯通，气隙击穿。 * 流注发展过程概述 4、形成流注的条件 电子崩发展到足够的程度后，电子崩中的空间电荷足以使原电场明显畸变，大大加强电子崩崩头和崩尾处的电场； 电子崩中电荷密度很大，所以复合频繁，放射出的光子在这部分很强电场区很容易成为引发新的空间光游离的辐射源，二次电子主要来源于空间光游离； 气隙中一旦形成流注，放电就可由空间光游离自行维持。 形成流注的必要条件是： 初始电子崩（电子崩头部电子数达到一定数量）→电场畸变 和加强→电子崩头部正负空间电荷复合→放射大量光子→光 游离→崩头处二次电子（光电子）→（向正空间电荷区运动 ）碰撞游离→二次电子崩→（二次电子崩电子跑到初崩正空 间电荷区域）流注 * 流注自持放电条件： 初崩头部电子数要达到108时，放电才能转为自持，出现流注。 四、均匀场击穿特性 （自持）放电＝击穿 击穿所需时间短 在多数情况下d越大，Ub越大 思考题：2-2、2-4 * . 绪 论 一、本门学科的形成、任务 1、我国电力发展的概况 (1) 装机容量、发电量迅速增长 建国前电力工业极端落后；建国后到1960年，装机容量突破1000万kW，居世界第9位；1987年突破1亿kW，居世界第4位；1996年装机容量达到2.37亿kW，跃居世界第2