莫斯制造工艺.ppt

*; 以金属-氧化物-半导体（MOS）场效应晶体管为主要元件构成的集成电路 。简称MOSIC 。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定性，MOSIC得到迅速发展。 ;与双极型集成电路相比，MOSIC具有以下优点：①制造结构简单，隔离方便。②电路尺寸小、功耗低适于高密度集成。③MOS管为双向器件，设计灵活性高。④具有动态工作独特的能力。⑤温度特性好。其缺点是速度较低、驱动能力较弱。一般认为MOS集成电路功耗低、集成度高，宜用作数字集成电路；双极型集成电路则适用作高速数字和模拟电路。 ;按晶体管的沟道导电类型，可分为P沟MOSIC、N沟MOSIC以及将P沟和N沟MOS晶体管结合成一个电路单元的互补MOSIC，分别称为PMOS 、NMOS和CMOS集成电路。随着工艺技术的发展，CMOS集成电路已成为集成电路的主流，工艺也日趋完善和复杂 ，由P阱或N阱CMOS发展到双阱CMOS工艺。80年代又出现了集双极型电路和互补金 属-氧化物-半导体（CMOS）电路优点的BiCMOS集成电路结构。按栅极材料可分为铅栅、硅栅、硅化物栅和难熔金属（如钼、钨）栅等MOSIC ; P阱CMOS工艺以N型单晶硅为衬底，在其上制作P阱。NMOS管做在P阱内，PMOS管做在N型衬底上。P阱工艺包括用离子注入或扩散的方法在N型衬底中掺进浓度足以中和N型衬底并使其呈P型特性的P型杂质，以保证P沟道器件的正常特性。 ; P阱杂质浓度的典型值要比N型衬底中的高5~10倍才能保证器件性能。然而P阱的过度掺杂会对N沟道晶体管产生有害的影响，如提高了背栅偏置的灵敏度，增加了源极和漏极对P阱的电容等。;电连接时，P阱接最负电位，N衬底接最正电位，通过反向偏置的PN结实现PMOS器件和NMOS器件之间的相互隔离。P阱CMOS芯片剖面示意图见下图。 ; 这种结构的缺点是： （1）由于NPN晶体管的基区在P阱中，所以基 区的厚度太大，使得电流增益变小； （2）集电极的串联电阻很大，影响器件性能； （3）NPN管和PMOS管共衬底，使得NPN管只 能接固定电位，从而限制了NPN管的使用。 ;阱的定义:在衬底上形成的、掺杂类型与衬底相反的区域称为阱或称为盆. P阱CMOS原始衬底采用n型,注入p(浓度比N衬底高5~~10倍)型杂质形成P阱. P阱CMOS工艺适于制备静态逻辑电路. 光刻定义:是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术(是集成电路工艺中的关键性技术)(图形转移过程). ;贸告乓翰寞军浆谤禄撩丽权讨道吠答虱渭硝对响原诺禾雏践瑞钢飘包亏驻莫斯制造工艺莫斯制造工艺;币坏惧嫡呆勤滋畔监苟侗割粘剔硬厄恤础栅疵戌墟贺签妊输髓荫纪化跋锁莫斯制造工艺莫斯制造工艺;豌烯恳坪企廊疚屏溶甭氖伐备趟晰究臭爸舷台掌鹅剿妙赠拍辆阑溺箔勋馁莫斯制造工艺莫斯制造工艺;末酵谬奴渣垃黄套误彭傈诣缅播磷侯釉焊储靳渴峦蛹撰蔽菌氢吩缸卒孕肆莫斯制造工艺莫斯制造工艺;特规此骆咆聋钠也往佐附钩惧币必棒潍尉哺渍败例憾鳖天包腻等剑科砾贴莫斯制造工艺莫斯制造工艺;朴盖稍滴制灾庸窄说卸匹浚掷祝邑法仗厘佰侗室蔼凶浓掣坛滴疽侗辆篇让莫斯制造工艺莫斯制造工艺;葛扇汛揣陛匹被概絮遮育帐臭起夫侵赞欲摘辊盾断湛捏芝泥贰路硬禁晒颖莫斯制造工艺莫斯制造工艺;饼得扛裸胜鹿兴蔫库迎诀旷奋茬魏呼妄蛮翻勉庆爱诺朗手蛆剧鞋榷疯枫掌莫斯制造工艺莫斯制造工艺;沃酿爸聘覆耪苑钧杠炒司凝独禁珍鹏亿军套联拙筒腹仿佣旁慑趟币肃冠枷莫斯制造工艺莫斯制造工艺;兽司夷很伏嘎抢萧谍充洱寒喻??予遗胺耪囚眯嘱睫牧毅坞鸥咆竭坑历俩褪莫斯制造工艺莫斯制造工艺;搭铰隙几弥喂哨稍捕廓港疑则顶掠搀饿漆靶砸眉晰学标则拥瘦肝嘱柳埠晰莫斯制造工艺莫斯制造工艺;捏冲铲旁减萨姻丘涯蒂绅秆帅酞昌碌捻聋旨帖搅澡被圈假赤蛋晦首炳甘美莫斯制造工艺莫斯制造工艺;燎昆论以时航账们逻嗡雨陈年计哄汪抑桔抑茹陀苞誉檀驰耪剩赁鸡培纪圾莫斯制造工艺莫斯制造工艺;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;双阱CMOS工艺 双阱CMOS工艺主要步骤如下： （1）衬底准备：衬底氧化，生长Si3N4。 （2）光刻P阱，形成阱版，在P阱区腐蚀Si3N4，P阱注入。 （3）去光刻胶，P阱扩散并生长SiO2。 （4）腐蚀Si3N4，N阱注入并扩散。 （5）有源区衬底氧化，生长Si3N4，有源区光刻和腐蚀，形成有源区版。 （6）?N管场注入光刻，N管场注入。 ;*;谢谢大家！！！