精选9微机接口存储器.pptVIP

EPROM 2716的功能 工作方式 CE*/PGM OE* VCC VPP DO7～DO0 待用 1 × ＋5V ＋5V 高阻 读出 0 0 ＋5V ＋5V 输出 读出禁止 0 1 ＋5V ＋5V 高阻 编程写入 正脉冲 1 ＋5V ＋25V 输入 编程校验 0 0 ＋5V ＋25V 输出 编程禁止 0 1 ＋5V ＋25V 高阻 * EPROM 2764的功能 工作方式 CE* OE* PGM* A9 VPP DO7～DO0 读出 0 0 1 × ＋5V 输出 读出禁止 0 1 1 × ＋5V 高阻 待用 1 × × × ＋5V 高阻 Intel标识 0 0 ＋12V 1 ＋5V 输出编码 标准编程 0 1 负脉冲 × ＋25V 输入 Intel编程 0 1 负脉冲 × ＋25V 输入 编程校验 0 0 1 × ＋25V 输出 编程禁止 1 × × × ＋25V 高阻 * EEPROM 2817A的功能 工作方式 CE* OE* WE* RDY/BUSY* I/O7～I/O0 读出 维持 字节写入 0 1 0 0 × 1 1 × 0 高阻 高阻 0 输出 高阻 输入 * EEPROM 2864A的功能 工作方式 CE* OE* WE* I/O7～I/O0 读出 维持 写入 数据查询 0 1 0 0 0 × 1 0 1 × 负脉冲 1 输出 高阻 输入 输出 * 门电路译码 A1 A0 F0 F1 F2 F3 A19 A18 A17 A16 A15 （b） （a） A0 Y0 Y1 Y * 译码器74LS138 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 A B C E1 E2 E3 Y7 GND Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0 Vcc 74LS138引脚图 Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 E3 E2 E1 C B A 74LS138原理图 功能 连接 * 74LS138连接示例 E3 E2 E1 C B A Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 74LS138 ＋5V A19 A18 A17 A16 A15 * 74LS138功能表 片选输入 编码输入 输出 E3 E2* E1* C B A Y7* ~ Y0* 1 0 0 0 0 0仅Y0*有效） 0 0 1仅Y1*有效） 0 1 0仅Y2*有效） 0 1 1仅Y3*有效） 1 0 0仅Y4*有效） 1 0 1仅Y5*有效） 1 1 0仅Y6*有效） 1 1 1仅Y7*有效） 非上述情况 ×××全无效） * 微处理器与存储器的连接 （1）CPU总线的带负载能力 （2）存储器与CPU之间的速度匹配 （3）数据线、地址分配和译码 * 1. 存储芯片数据线的处理 若芯片的数据线正好8根： 一次可从芯片中访问到8位数据 全部数据线与系统的8位数据总线相连 若芯片的数据线不足8根： 一次不能从一个芯片中访问到8位数据 利用多个芯片扩充数据位 这个扩充方式简称“位扩充” * 位扩充 2114 （1） A9～A0 I/O4～I/O1 片选 D3～D0 D7～D4 A9～A0 2114 （2） A9～A0 I/O4～I/O1 CE CE * 多个位扩充的存储芯片的数据线连接于系统数据总线的不同位数 其它连接都一样 这些芯片应被看作是一个整体 常被称为“芯片组” * 2. 存储芯片地址线的连接 芯片的地址线通常应全部与系统的低位地址总线相连 寻址时，这部分地址的译码是在存储芯片内完成的，我们称为“片内译码” * 片内译码 A9～A0 存储芯片 000H 001H 002H … 3FDH 3FEH 3FFH 全0 全1 00…00 00…01 00…10 … 11…01 11…10 11…11 范围（16进制） A9～A0 * 3. 存储芯片片选端的译码 存储系统常需利用多个存储芯片扩充容量 也就是扩充了存储器地址范围 进行“地址扩充”，需要利用存储芯片的片选端对多个存储芯片（组）进行寻址 这个寻址方法，主要通过将存储芯片的片选端与系统的高位地址线相关联来实现 这种扩充简称为“地址扩充”或“字扩充” * 地址扩充（字扩充） 片选端 D7～D0 A19～A10 A9～A0 （2） A9～A0 D7～D0 CE （1） A9～A0 D7～D0 CE 译码器 00000