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黑龙江大学集成电路与集成系统 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 MOSFET的特性曲线总结 1、输出特性曲线 非饱和区 饱和区 截止区 输出特性曲线描绘 IDS~VDS(VGS)关系 曲线分4个区： 非饱和区： VDS≤VGS-VT,，IDS~VDS近似线性关系，可调电阻区 饱和区： VDSVGS-VT ，沟道漏端夹断，IDS达饱和值IDsat 截止区：半导体表面没有强反型导电沟道，仅有反向漏电流 击穿区：反偏漏-衬结击穿，IDS剧增 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 2、转移特性曲线 作为电压控制器件，转移特性表征栅源输入电压VGS对漏源输出电流IDS的控制能力 MOSFET的转移特性可从输出特性曲线族上得到 耗尽型MOSFET 增强型MOSFET * 黑龙江大学集成电路与集成系统 耗尽型 增强型 P 沟 n 沟 P 沟 n 沟 电路符号 转移特性 输出特性 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 跨导的定义 由于MOSFET工作在饱和区时，其电流受栅源过驱动电压控制，所以我们定义一个性能系数来表示电压转换电流的能力。更准确的说，由于在处理信号的过程中，我们要考虑电压和电流的变化，因此我们把这个性能系数定义为漏电流的变化量除以栅源电压的变化量，我们称之为跨导，表达式为： * 黑龙江大学集成电路与集成系统 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 例题：如图所示电路，画出跨导对于VDS的函 数曲线。 ID 温馨提示： 1、 VDS从零到无穷大变化。 2、讨论M1在线性区和饱和区的 条件。 本例题说明：放大应用时，我们通常使mos工作于 区。 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 二级效应 体效应 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 产生体效应，并不需要改变衬底电势，源电压相对于衬底电势发生改变，就会产生同样的现象。 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 沟道长度调制 我们注意到，当栅和漏之间的电压差增大时，实际的反型层沟道长度逐渐减小，也就是说L’是VDS的函数，这一效应称为~ * 黑龙江大学集成电路与集成系统 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 沟道长度调制引起的饱和区有限斜率 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 在分析mos时，我们一直假设，当VGS下降到低于VTH时器件会突然断开，实际上VGS≈VTH时，一个弱的反型层仍然存在，并有一些漏电流，甚至当VGS≈VTH时，ID也并非无限小，而与VGS呈指数关系，这种效应称作“亚阈值导电”。 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 MOS器件电容 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 Cj表示与结的底部相关的下极板的单位面积电容，Cjsw表示结周边侧壁的单位长度电容。 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 栅源和栅漏电容随VGS的变化曲线 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 Mos管处于线性区和饱和区的描述公式及与电压有关的电容构成了mos管的大信号模型。在对信号会显著影响偏置工作点的电路进行分析时，尤其考虑非线性效应的情况下，这一模型被证明是不可缺少的。 相反，如果信号对偏置影响小，就可以用小信号模型简化计算。小信号模型是工作点附近的大信号模型的近似。 MOS管的小信号模型 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 在许多模拟电路中mos管偏置在饱和区。 1、由于漏电流是栅-源电压的函数，我们引入一个值为gmVGS的压控电流源，如图所示，这是个理想的mos小信号模型。 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 2、由于沟道长度调制，漏电流也随着漏-源电压的变化而变化，这一效应也可用一个压控电流源模拟，如图所示。 但是，如果一个电流源的电流值与它两端的电压成线性关系，则该电流源就等效于一个线性阻抗。 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 则连接D和S之间的电阻可由下式得到： 衬底电势影响阈值电压，因而也影响栅-源过驱动电压。在所有其它端子保持恒定的情况下，漏电流是衬底电压的函数。用连接于D和S之间的电流源模拟这一关系，其电流值为gmbVbs。 输出电阻ro影响模拟电路的许多特性，如，它限定多数放大器的最大电压增益 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 MOS管的小信号等效电路 * 黑龙江大学集成电路与集成系统 公式总结： 1、线性区：条件，漏电流公式，跨导 2、深线性区：条件，漏电流公式，电阻 3、饱和区：条件，漏电流公式，跨导 4、饱和区（考虑沟道长度调制）：漏电流公式，跨