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知识：LED封装的100多种结构形式区分大全 2016-01-13 CNLED 网 LED封装技术的要素有三点：封装结构设计、选用合适封装材料和工艺水平。 目前LED封装结构形式有100多种，主要的封装类型有Lamp系列40多种、SMD （chip LED和TOP LED）系列30多种、COB系列30多种、PLCC、大功率封装、 光集成封装和模块化封装等，封装技术的发展要紧跟和满足LED应用产品发展的 需要。 LED封装技术的基本内 LED封装技术的基本要求是：提高出光效率、高光色性能及器件可靠性。 1. 提高出光效率 LED封装的出光效率一般可达80~90%。 ①选用透明度更好的封装材料：透明度≥95% （1mm厚度），折射率大于1.5等。 ②选用高激发效率、高显性的荧光粉，颗粒大小适当。 ③装片基板（反射杯）要有高反射率，出光率高的光学设计外形。 ④选用合适的封装工艺，特别是涂覆工艺。 2. 高光色性能 LED主要的光色技术参数有：高度、眩光、色温、显色性、色容差、光闪烁等。 显色指数CRI≥70 （室外）、≥80 （室外）、≥90 （美术馆等）。 色容差≤3 SDCM≤5 SDCM （全寿命期间） 封装上要采用多基色组合来实现，重点改善LED辐射的光谱量分布SPD，向太阳 光的光谱量分布靠近。要重视量子点荧光粉的开发和应用，来实现更好的光色质 量。 3. LED器件可靠性 LED可靠性包含在不同条件下LED器件性能变化及各种失效模式机理（LED 封装材料退化、综合应力的影响等），这是主要提到可靠性的表征值—寿命， 前LED器件寿命一般为3~5小时，可达5~10万小时。 ①选用合适的封装材料：结合力要大、应力小、匹配好、气密性好、耐温、耐湿 （低吸水性）、抗紫外光等。 ②封装散热材料：高导热率和高导电率的基板，高导热率、高导电率和高强度的 固晶材料，应力要小。 ③合适的封装工艺：装片、压焊、封装等结合力强，应力要小，结合要匹配。 LED光集成封装技术 LED光集成封装结构现有30多种类型，正逐步走向系统集成封装，是未来封装 技术的发展方向。 1. COB集成封装 COB集成封装现有MCOB、COMB、MOFB、MLCOB等30多种封装结构形式，COB 封装技术日趋成熟，其优点是成本低。COB封装现占LED光源约40%左右市场， 光效达160~178 lm/w，热阻可达2℃/w，COB封装是近期LED封装发展的趋势。 2. LED 晶园级封装 晶园级封装从外延做成LED器件只要一次划片，是LED照明光源需求的多系 统集成封装形式，一般衬底采用硅材料，无需固晶和压焊，并点胶成型，形成系 统集成封装，其优点是可靠性好、成本低，是封装技术发展方向之一。 3. COF集成封装 COF集成封装是在柔性基板上大面积组装中功率LED芯片，它具有高导热、 薄层柔性、成本低、出光均匀、高光效、可弯曲的面光源等优点，可提供线光源、 面光源和三维光源的各种LED产品，也可满足LED现代照明、个性化照明要求， 也可作为通用型的封装组件，市场前景看好。 4. LED模块化集成封装 模块化集成封装一般指将LED芯片、驱动电源、控制部分（含IP地址）、 零件等进行系统集成封装，统称为LED模块，具有节约材料、降低成本、可进行 标准化生产、维护方便等很多优点，是LED封装技术发展的方向。 5. 覆晶封装技术 覆晶封装技术是由芯片、衬底、凸块形成了一个空间，这样封装出来的芯片 具有体积小、性能高、连线短等优点，采用陶瓷基板、覆晶芯片、共晶工艺、直 接压合等来达到高功率照明性能要求。用金锡合金将芯片压合在基板上，替代以 往的银胶工艺，“直接压合”替代过去 “回流焊”，具有优良的导电效果和导热 面积。该封装技术是大功率LED封装的重要发展趋势。 6. 免封装芯片技术 免封装技术是一个技术的整合，采用倒装芯片，不用固晶胶、金线和支架是 半导体封装技术70种工艺形成中的一种。 PFC免封装芯片产品的光效可提升至200lm/w，发光角度大于300度的超广 角全周光设计，不要使用二次光学透镜，将减少光效的耗损与降低成本，但要投 入昂贵的设备。 PFC新产品主打LED照明市场，特别是应用在蜡烛灯上，不仅可以模拟钨丝 灯的造型，同时可以突破散热体积的限制。 7. LED其他封装结构形式 ①EMC封装结构：是嵌入式集成封装形式（Embedded LED Chip）不会直接看到 LED光源。 ②EMC封装技术： （EpoxyMoldingCompound）以环氧塑