射频感应耦合等离子体调谐基片自偏压特性的进一步研究.pdfVIP

第31卷第2期 辽宁师范大学学报(自然科学版) Vo1．31 No．2 2008年 6月 Journal of Liaoning Normal University(Natural Science Edition) Jun． 2008 文章编号：1000—1735(2008)02—0158—04 射频感应耦合等离子体调谐基片自偏压特性的进一步研究 霍伟刚 ， 杨 艳 ， 刘成森 ， 丁振峰。 (1．辽宁师范大学物理与电子技术学院，辽宁 大连 116029；2．大连水产学院生命科学技术学院，辽宁大连 116023； 3．大连理工大学物理系，辽宁大连 116024) 摘 要：在已有的调谐基片自偏压研究的基础上，进一步研究了基片台空间轴向位置对基片自偏压一调谐电容曲线的 影响I研究了基片分支串联电阻对基片自偏压的影响，发现了在电阻值区自偏压自振荡现象；在不同的放电参数下，采 用自制诊断工具测量了射频感应耦合等离子体电子温度、电子密度等参量的空间分布．并对基片自偏压相应的实验现 象给出了物理模型解释． 关键词：射频等离子体；调谐基片自偏压；正反馈 中图分类号：O539 文献标识码：A 在微电子芯片刻蚀、光电子功能薄膜沉积、全方位离子注入等过程中，基片台是各种被加工物体的 载体，各种工艺的溅射和沉积过程归根到底是由基片台上的自偏压所控制．在射频感应耦合等离子体源 (简称ICP)中，耦合天线存在产生容性耦合的射频电压，其产生的容性耦合射频电流由射频天线通过不 同路径而最终流向地，在与等离子体所接触的固体表面上形成射频振荡鞘层，当固体表面悬浮或接外电 路时，表面上可以产生射频自偏压． 迄今，国外对射频自偏压的研究工作都是在射频容性耦合等离子体(简称CCP)源上进行的[1 ]． Logan首次在基片与地之间外加由电感、电容组成的串联电路，研究了外电路阻抗变化对调谐基片自偏 压及薄膜沉积、刻蚀的影响[1]．此后，Keller建立了调谐基片自偏压与外电路参量间的理论模型[2]，Lou- sa给出了对应的简晰等效电路分析[3]，Urano等人采用辅助射频电极的方法控制了CCP密度和空间分 布[43，Sobolewsk采用GEC(Gas Electric Discharge Conference)装置，用激光诱导荧光诊断的方法，研 究了自由基密度空间分布与LC调谐参数的关系 J． 在国内，大连理工大学在射频感应耦合等离子体中研究了基片调谐自偏压，并发现了连续、跳变、自 振荡现象．在一定的放电位形下，已对基片自偏压的连续、双稳、自振荡进行了初步研究，得到调谐基片 自偏压的连续、双稳、自振荡等特性随射频放电功率、气压、气体流量、上盖板电连接状态的变化规律；发 现了射频调谐基片自偏压特性放电参数区域，研究了功率、气压、放电气体种类等对自振荡幅值、频率的 影响，并结合电路模型给出了定性的解释[6]． 笔者进一步研究了基片台处于不同空间位置时，基片自偏压随调谐电容变化情况；串联电阻对基片 自偏压的影响；利用自制探针测量了射频感应耦合等离子体的电子温度，电子密度，等离子体空间电位 等状态参量纵向分布，为更精确的理论解释和数值模拟提供实验数据．根据正反馈原理，结合外部调谐 网络的阻抗特性、基片鞘层电容的非线性特性、射频感性耦合放电特点，对基片自偏压相应的实验现象 给出了物理模型解释． 1 实验结果 本实验放电装置采用射频感应耦合等离子调谐基片自偏压特性[ 中的实验装置，诊断测量系统包 括改进的射频Langmuir探针 、容性探针，示波器(TeKtronix TDS3052B型)． 收稿日期：2007-11-30 基金项目：国家自然科学基金资助项目 作者简介：霍伟刚(1977一)，男，河南汝南人，辽宁师范大学讲师，硕士．E．mail：huowg．wg(~tom．tom 丁振峰(1964一)，男，山东膝州人，大连理工大学教授，博士生导师． 第2期 霍伟刚等： 射频感应耦合等离子体调谐基片自偏压特性的进一步研究 159 1．1 基片台轴向位置对基片调谐基片自偏压跳变双稳的影响