VO2热致相变材料薄膜制作及性能概述.docVIP

　　VO2热致相变材料薄膜制作及性能概述 1绪论 1.1引言 二十世纪中期有研究人员发现，帆元素与氧化合形成的氧化物随着温度的改变，在某一温度区间内呈现金属性，而在另一温度区间内呈现非金属性，此种随着温度改变发生的性能突变被称为金属-半导体相变。此种相变过程中原子并未发生大范围的重新排列，只有晶体结构发生微小的变化，同时这些材料的光学、电学和磁学性质在此过程中都会发生显著的变化。钮的氧化物的这种特性吸引了大量研究人员的目光。银元素符号V，银白色金属，原子序数23，在元素周期表中位于VB族，属于过渡族金属，常见化合价为+5、+4、+3、+2价。轨是一种银白色的金属。钮的结构强度相当高，一般在材料工程中被用做合金的成分t4]。并且它不易被腐烛，化学性质稳定，不易溶于酸和碱。在高温下可以被氧化生成五氧化二银(V2O5)。金属轨与氧相互之间作用相当复杂，如图1.1是机-氧相图。其中最左边(V)区域表示轨-氧之间可以生成固溶体，虚线表示在一定条件下该物质可以稳定存在，而实线所圈出来的区域表示该物质可以在一个大气压下制得。最右边缺省部分表示氧含量百分之百，为氧单质。而钒和氧之间可以形成的氧含量最高的化合物为V2O6。在氧含量60%至70%之间可以稳定存在约有13种钒氧化合物。这13种钒-氧化合物化学计量比接近，原子排列结构接近。其中V2O5、V2O3、V02、V0得到了广泛的研究和应用，它们的主要性质为世人所熟知，见表1.1。?凡在氧化物中通常可以有+2、+3、+4、+5几个价态存在，也可以成+1价，但是很少出现。理论上-1和-3价的巩也有可能存在。其中最为稳定的是+5价，+2、+3、+4几个价态都可以过渡为+5价的氧化物。随着祝在氧化物中价态的变化，它所形成的氧化物的酸碱性也会发生变化，如V0和V2O3是碱性氧化物，而V02是酸性氧化物，但+5价的拆形成的氧化物V2O5却是两性氧化物。 1.2 二氧化银薄膜的光学和电学性质 上世纪五十年代末，美国贝尔实验室的FJ Morin首先对二氧化轨的金属-半导体相变性质进行了比较全面的研究⑴。随后研究人员对此领域展现出了极大的热情，对银一系列氧化物进行的全面研究发现，至少有8种机氧化物具有金属-半导体相变特性，如V2O5(相变温度420K)、V0 (相变温度120K)、V2O3 (相变温度155K)及VCb (相变温度340K) [6]。其中，二氧化机因其相变发生在340K，最为接近常温而得到了更多的关注。要制备符合化学计量的V02粉体是较为困难的，较好的方法是将V2O5和V2O3按化学计量的比例混合，在真空中加热到750-80(rC，恒温保持40-60h,甚至更长的时间。此外，在还原性气氛（如氢气、一氧化碳）中加热V2O5粉体，也可以使得V2O5被还原得到V02粉体[7]。根据图1.1所示，各个组分的钒氧化物之间氧含量相似，因此单一种钮氧化物成分不易制得，通常得到都为多种成分的混合物。为解决这一问题，薄膜领域的研究人员实验了各种工艺方法，调整各种参数来获得单一成分或单一化学计量比的二氧化钒薄膜。F.JMorin在他的研究中首次报道了V02的半导体-金属转变发生在68deg;C，其原因是由于V02晶体结构发生了转变：温度高于68deg;C时为V02(R)相，晶体结构为四方金红石相；温度低于68deg;C时为V02(M)相，晶体结构为单斜相，晶体结构如图1.2所示。 2. 二氧化锐薄膜的制备及表征 2.1 二氧化银薄膜制备方法 由于制备纯净的二氧化银薄膜十分困难，研究人员尝试过多种方法，下面简要介绍几种常用的制备二氧化轨薄膜的方法。作为常规的物理气相沉积方法，溅射法制备二氧化银薄膜得到广泛研究。主要包括以下几种方式：粒子束溉射制备V02薄膜、射频溅射制备V02薄膜和磁控溅射制备V02薄膜。采用高纯度的V205或金属轨作为勒材，在各种衬底上（如娃片、二氧化娃、各种取向的蓝宝石单晶片、钛酸银单晶）均可制备V02薄膜。制备过程中祀材与基片通常成一定角度，同时保持衬底温度300deg;c-55deg;c并不断旋转，维持磁控溅射腔体内真空气压，可通过调节氧分压和沉积温度，制备不同成分和形貌的二氧化银薄膜[27]。溅射法制备的V02薄膜通常具有较好的均匀性、重复性以及良好的台阶覆盖，同时溅射法可以较精确控制薄膜成分，所形成的V02薄膜与基片结合力强，不易脱落。但通常情况下派射设备复杂，溅射镀膜速率低，衬底温度不易精确控制同时成分易受杂质气体影响，制备薄膜成本较高。 2.2脉冲激光沉积(PLD)制备二氧化飢薄膜 2.2.1脉冲激光沉积制备二氧化钮薄膜 脉冲激光沉积法已经被成功地运用于许多材料上。比如，半导体、超导体、绝缘体、绝缘材料等等。由于PLD可以在相当高的氧气压力下进行，在沉积氧化物薄膜中它己被证明是一个优