解放军信息工程大学2-嵌入式系统硬件构建-2.pptVIP

实例：PXA255微处理器与SDRAM存储器设计 2.4.3 存储器的分类 实例： SDRAM的PCB设计 1所有的地址线和控制信号线等长。 2所有的数据线等长。 3地址线和控制线在输出端串接小电阻使系统更稳定。 2.4.3 存储器的分类 实例： SDRAM的PCB设计 2.4.3 存储器的分类 2.4.3 存储器的分类 SD卡硬件电路 实例：微处理器与SD卡硬件电路设计 作业 1、简述SDRAM存储器PCB布线原则 思考题： 1、理解NAND FLASH的页编程函数的编写方法。 这里以K9F2808U0C为例，介绍NAND型FLASH存储器的结构及操作。 K9F2808U0C是SAMSUNG公司生产的NAND型FLASH存储器，存储容量为16M×8Bit，工作电压为2.7～3.6V。528字节的页编程操作时间为200μs，16K字节的块擦除操作时间为2ms。页面的数据以每个字50ns的速度被读出。片内写控制自动实现所有编程和擦除功能，包括脉冲的周期、内部校验和数据冗余。 对Flash的擦除、读、写等操作以扇区（或者块）为单位。只有读操作可以以单个字节为单位。 这里以K9F2808U0C为例，介绍NAND型FLASH存储器的结构及操作。 K9F2808U0C是SAMSUNG公司生产的NAND型FLA