变质量势垒穿透的研究.pdfVIP

2008年3月 山东师范大学学报 (自然科学版) Mar．20O8 第23卷 第1期 Journal of Shandong Normal University(Natural Science) V01．23 No．1 变质量势垒穿透的研究* 尚兆霞 李 皓 (1)山东大学物理与微电子学院，250100，济南；2)山东师范大学科技处，250014，济南∥第一作者25岁，女，硕士生) 摘要 针对半导体量子阱或超品格中电子有效质量变化的实际情况，本文讨论了变质量粒子在势垒中的隧穿过程，分析了 透射系数与粒子能量及质量的关系，并用图表绘出了计算结果． 关键词 势垒穿透；透射系数；极化子 中图分类号 0 413．1 固体物理对多电子系统处理的一个简单方案是准粒子图像，准粒子的质量称为有效质量，与具体的材料有关．当电子在 半导体量子阱或超晶格中运动时，其有效质量将发生变化，因此这是一个变质量输运问题u J．对于一个超导 }超导多层系 统，超导层内的载流子为库柏对，而非超导层内的载流子可能为电子或孔穴，因此也是一个变质量输运问题．导电高分子内的 载流子是极化子或双极化子 J，因此，一个金属／高分子聚合物系统又是一个变质量输运问题．量子力学对变质量问题的处理 主要是采用边界条件，使哈密顿量保持厄米性以及粒子流密度保持连续性等，有很多方案 J．本文将通过粒子在一维势垒中 的隧穿现象，分析质量发生变化时投射系数的变化情况，并用图表给出了分析结果． 1 理论模型与计算方法 设具有一定能量E的粒子，沿x轴正方向射向方势垒(如图1所示)，设粒子波函数在垒壁边界 满足连续性条件，由此导出透射系数为 J s J mt k3 4 k = = (1) k1+k3) ch +( 一k J k3) sh m3 kl’ — — 一 a (k1一k3) ch。 +( +k J k3) sh 反射系数为 ：l J = (2) (k1+k3) ch +( 一k1 k3) sh ‘ 图 1 mi，m 分别表示粒子穿透势垒前后的质量．m 表示粒子在势垒内部的质量． 2 计算结果与分析 1)当ml=m =m，，kl=k，时，即粒子势垒穿透过程中质量不变的情况： R+T=J St +J R J =1． (3) (3)式中，J S J 代表粒子穿透势垒的概率，J R J 代表粒子被势垒反射回去的概率．所以式(3)是概率守恒(或粒子数守恒) 的表现．我们研究粒子势垒穿透过程中质量不变条件下，透射系数 (E)与粒子能量的关系．粒子能量在0 eV到10 eV的情况 如图2所示．从图中可以发现，当粒子的能量大于6 eV后，粒子的透射率趋于1．1)式中参数取值分别为 。=2×10 。(m)= 10一 (eV一 )；m1=0．511×1a6(eV／c2)；h=c：1． 2) 当m ≠m，，k ≠k，时，即粒子势垒穿透过程中质量发生变化的 情况： ’ (1)式中参数为 o=2×10I1。(m)=10I3(eVI1)；m1=0．511×1a6 (eV／c )；h：c=1，我们研究以下四种情况： ①当rn2=m1，m3∈[0．5m1，10m1]时， (E)随m3的变化如图3．从 图中我们可以发现：在势垒穿透过程中如果粒