宽禁带半导体材料之电子组织与性能研究.docVIP

　　宽禁带半导体材料之电子组织与性能研究 第一章绪论 1.1引言 宽禁带半导体通常是指禁带宽度大于2.2 eV的半导体，也称高温半导体，主要包括第四主族半导体（金刚石、SiC)、III族氮化物（BN、A1N、GaN等）、过渡金属氧化物（Ti02、ZnO等）以及一些三元氧化物（SrTi03、BiV04等）。宽禁带半导体具有较宽的禁带宽度，一方面可以在高温下工作，是开发高频率、大功率、耐高温、抗福射半导体器件的理想材料；另一方面可以吸收和福射高能量的光子，成为制造蓝、绿等短波长的发光二极管和半导体激光器以及紫外探测器等器件的首选，在微电子、光电子领域有广阔的应用前景。此外，人们在过渡金属掺杂的宽禁带半导体中实现了室温铁磁性，近年来甚至在GaN、金刚石、SiC、ZnO、TiOs等材料中发现了室温磁性的新奇现象，这就把宽禁带半导体的应用拓宽到自旋电子学领域；另一方面，利用Ti02、SrTiCb以及GaN/ZnO固溶体等材料可以实现光催化分解水制氧，而且能够还原C02合成有机物、光降解有机污染物而不产生二次污染，在解决能源和环境问题方面有广阔的应用前景。所以，研究宽禁带半导体的性质及其在自旋电子学和光催化领域的应用，有非常重要的现实意义。 1.2宽禁带半导体的自旋电子学性质及应用 1.2.1自旋电子学和稀磁半导体 自旋电子学（Spintronics 或 spin electronics)，亦称磁电子学（Mago-electronics),是一门结合磁学与微电子学的交叉学科。微电子学是二十世纪人类最重要的发现之一，在传统的微电子学中，电子的输运过程仅利用它的电荷性质，而它的自旋状态是不予考虑的。随着纳米科学技术的发展，科学家发现当半导体组件减小到纳米尺寸后，许多宏观特性将丧失，因此必须考虑电子的自旋特性。自旋电子学正是在这样的背景产生的。具体讲来，自旋电子学就是一门以研宄电子的自旋极化输运特性以及基于这些特性而设计、幵发新型电子器件为主要内容的一门交叉学科，其研宄对象包括电子的自旋极化、自旋相关散射、自旋她豫以及与此相关的性质及其应用等。由于自旋电子学同时利用了电子的电荷和自旋属性，这无疑将会给未来的信息技术带来巨大的变革。 与传统的半导体器件相比，自旋电子器件具有速度快、体积小、能耗低、非易失性、功能更强等优点。在传统的电子线路中电子是自旋简并的，自旋向上和自旋向下的电流是相等的，因而无法把电子的电荷和自旋属性区分幵来并加以利用。在一些铁磁性物质中，交换勞裂使得费米面处自旋向上和自旋向下的电子态密度不相等，导致两种自旋电流的大小不等而出现净自旋极化电流。在新一代自旋电子器件开发过程中，以往科研人员研究对非磁半导体的自旋注入，着重在金属一半导体结上覆盖一层金属，使自旋极化电子直接注入。但是，这种方法难以解决金属一半导体界面中，耗尽层的肖特基势垒对自旋载流子的散射的问题。而稀磁半导体由于兼具磁性物质及半导体的特性，容易与常规半导体工艺兼容，能够解决自旋电子注入问题，是实现自旋电子学应用的关键。 稀释磁性半导体（Diluted Magic Semiconductor，DMS)，简称稀磁性半导体，即非磁性半导体中一部分原子被磁性原子所替代。1989年Munekata等人利用低温分子束外延技术（LT-MBE)成功制备出了基于III-V族的InMnAs材料，且在P型InMnAs材料中发现了铁磁性[1]。随后，Ohno等人于1996年首次利用低温分子束外延技术制备出了 GaAs基稀磁半导体(Ga，Mn)As[2],此方法直接促进了稀磁半导体研宄的发展。早期的稀磁半导体，其居里温度非常低，只有几个K，这大大限制了其实际应用。2000 年，Dietl[3]利用齐纳模型（Zener Model)对 Gai-xMiixAs 及 Zm.xMnxTe的居里温度进行了解释，同时预言了在宽禁带稀磁半导体的居里温度可以达到室温（见图1-1)。 第二章密度泛函理论 密度泛函理论（Density Functional Theory, DFT)作为一种强大的理论工具在材料性质研究中有着广泛的应用。研究人员利用这一理论工具预测和解释了多种材料的性质和现象。DFT是一种基于量子力学的从头算（ab initio)理论，通常也把基于密度泛函理论的计算叫做第一性原理（first-principles)计算。根据DFT理论，从基态电子密度出发，可以得到一个多粒子体系在基态时所有的物理量。其中心思想是用电子密度泛函而不求助体系波函数来描述和确定体系的性质。第一性原理计算只需要基本物理量以及元素周期表中各元素的电子结_构，而无需其它任何经验参数就可以合理预测材料的许多物理和化学性肩。 2.1 Born-Oppenheimer 近似 严格求解多体薛定谔方程的波函数几乎是不可能的。为简化问题，