离轴照明下依赖于入射角度的矢量霍普金斯公式.pdfVIP

第 57卷 第 u期 2008年 11月 物 理 学 报 V01．57，No．11，November，2008 1O0o一3290，2008，57(11)／6946．09 ACTA PHYSICA SINICA ⑥2008Chin．Phys．Soc． 离轴照明下依赖于入射角度的矢量霍普金斯公式* 曹鹏飞 程 琳 张晓萍 (兰州大学信息科学与工程学院，兰州 730000) (2008年3月 21日收到；2008年5月 12日收到修改稿) 应用矢量电磁场理论和波导模型推导出离轴照明下的矢量霍普金斯公式，与传统的标量霍普金斯公式不同之 处在于引入了入射角及入射方位角．通过仿真实际投影光刻工艺下三维掩模的成像效果，分析了最佳入射角范 围，讨论了离轴照明时入射角对最终成像质量的影响． 关键词：光学光刻 ，矢量霍普金斯公式，矢量电磁场理论 ，离轴照明 PACC：4225，4230 的衍射光进行仿真并描绘出其偏振效应，精度高，但 1．引 言 计算量大，计算时间长 ，不适用于快速仿真． 本文应用矢量电磁场理论和波导模型，将倾斜 为满足超大规模集成 电路 的发展需要 ，投影光 照明光所包含的入射角及入射方位角因子引入到扩 刻技术得到了飞速发展，投影光刻机分辨率的提高 展后的矢量霍布金斯公式(Hopkinsformula)．此公式 始终是微光刻领域的核心问题 ．光刻分辨率增强技 可以快速精确的仿真三维掩模的成像效果．本文推 术，如离轴照明(offaxisillumination，OAI)、相移掩模 导了含有入射角及入射方位角的矢量霍普金斯公 (phaseshiftmask，PSM)、光瞳滤波 (pupilfilter，PF)、 式 ，根据此公式计算了入射角及入射方位角对掩模 光学邻近效应校正(opticalproximitycorrection，OPC) 仿真的影响，讨论了离轴照明时人射角对最终成像 等 1 ，一直是延展光刻分辨率极限的有效手段 ，而 质量的影响以及最佳 的倾斜照明范围，并对上述推 其中离轴照明技术是当前半导体集成电路生产光刻 导结果进行了验证 ． 分辨率增强技术 中很广泛应用的技术之一，其主要 原因是离轴照明技术在提高分辨率的同时还可增大 2．矢量霍普金斯公式的推导 焦深 ，从而提高成像质量 ．在对离轴照 明条件下 的OPC模型计算时采用两种计算方法，一种是基于 2．1．第 ．，级衍射场的推导 薄掩模近似法 ，也称之为基尔霍夫方法 (Kirchhoff Approach)[s--7]，即假设掩模为一个无 限薄的薄膜 ，使 在 目前的离轴照明计算中，一般不考虑或者只 用标量的霍普金斯公式进行计算，计算前提假设散 考虑倾斜入射角所带来的精度影响．为了能精确计 射系数是恒定 的，不随入射角变化而变化 j．标量 算三维掩模在任意倾斜入射角度下所成像的情况， 霍普金斯公式的优点在于能够利用透射函数很方便 本文考虑了入射角和入射方位角 ，如图 1示 ．假设 的计算二维掩模的透射率，缺点是没有考虑离轴照 一 个三维的周期掩模，沿 轴方向的周期为A，波长 明所产生的掩模边缘 的近场效应 ，所以标量霍普金 为 的平面波以入射角为 (入射波矢 与 轴的 斯公式不适于用计算三维掩模在离轴照明条件下的 夹角)、入射方位角为 (入射波矢 在xy平面上的 空间像 ．另一种计算方法是使用严格矢量电磁场仿 投影矢量与 轴的夹角)人射到掩模上 ． 真 方