纳米体系中发光能隙展宽的研究.pdfVIP

第 57卷 第 11期 2008年 11月 物 理 学 报 Vo1．57，No．11，November，2008 1000—3290／2008／57(11)／6751．07 ACTA PHYSICA SINICA ⑥2008Chin．Phys．Soc． 纳米体系中发光能隙展宽的研究* 刘一星 余亚斌 张 丽 全 军 (湖南大学物理与微电子科学学院，长沙 410082) (2008年 3月8日收到；2008年4月 15日收到修改稿) 采用两种简单 的一维模型，通过直接严格求解该模型下薛定鄂方程给出晶场 中的限域情况下 电子能级结构 以 及纳米体系中电子的限域能，从而研究体系的发光蓝移现象 ．基于限域能的计算，讨论了纳米体系的限域能和发光 蓝移随尺寸以及势场的变化关系．结果表明：导带底的电子能级随体系的尺寸增大而降低；而价带顶则随粒径的增 大而升高，因此 ，限域能随纳米尺寸的减小迅速增大 ．同时将计算结果与通常文献 中所采用 的有效质量计算 的结果 进行比较，可以看出二者有明显差别，且尺寸越小 ，其差异越大．因此 ，限域能随尺寸的变化并不严格满足通过有效 质量方法计算出来的结果．也分析了限域能与晶场势高度的关系，结果表明限域能随之增大而减小 ． 关键词 ：蓝移 ，能隙，量子限域效应 ，量子尺寸 PACC：0365G，7125C，0365，0300 隙公式还是值得质疑，因为对电子结构的有效质量 1．引 言 描述是基于周期性结构 ，它实际是周期性晶场 的近 似描述 ．但是对于纳米尺寸的体系，甚至其尺度小于 当微粒直径进入纳米量级时，纳米材料粒径极 有效玻尔半径时周期结构已经不存在，其原来 的能 小，表面积特大，内部 电子局限在纳米空间内，电子 带结构也退化成为一系列 的能级族 ．因此这时有效 的局限性和相干性增强 ．从而导致纳米体系具有与 质量对纳米体系中电子已经不是一个好的描述，应 宏观体系不同的物理现象和效应 ．如量子效应常见 当从所处的势场出发给出电子能级结构 ，从而找出 的表面效应 、量子尺寸效应和宏观量子隧道效应 ；表 所对应的发光能隙的变化 ．本文采用两个简单的模 面效应引起的光吸收的蓝移和红移现象；量子尺寸 型势场 ，通过波 函数及能级结构的计算 ，分析了在一 效应u。反映出的带问吸收和发光峰的蓝移 及光 维纳米结构体系中出现的发光带隙蓝移 的原因，并 吸收系数与尺寸的关系等 ． 给出能隙值随粒径的变化关系 ． 近年 ，微纳米科学技术发展迅速 ，半导体多量子 阱和超晶格的制备 、研究和应用吸引了越来越多的 2．模型与公式 研究者并且取得了不少成果 ．许多纳米半导体材料 比如ZnO／MgO超晶格、GaAs一Sb／GaAs等的在实验 本文采用两个简单的模型分析研究，纳米尺寸 中得以制备成功 ，并通过合理的实验方法分析了其 下电子能级 、限域能与粒径、内部势场等参量 的关 性质 ；在理论上，研究者通过推导分析也成功地 系 ．首先，在宏观体系中以一个周期性方势阱场描述 研究了纳米尺寸微粒 的一些特殊性质 叫。。．比如对 一 维半导体内部晶格场 ，如图 1所示 ．该模型晶体势 超晶格中的电子能级结构 ，带宽以及光跃迁频率 的 场如下： 研究；其中BrusH 利用有效质量近似法 (EMA)给 ：