薄膜SOI上大于600V LDMOS器件的研制 Study of LDMOS Device over 600 V on Thin Film SOI.pdfVIP

■ 新型半导访器件 NOVelSemiconduotorDevice DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．2012．04．002 V 薄膜SOl上大于600LDMOS器件的研制 王中健’’2，夏超1’2，徐大伟1’2，程新红1，宋朝瑞1，俞跃辉1 (1．中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室，上海200050； 2．中国科学院研究生院，北京100049) 摘要：针对600V以上SOI高压器件的研制需要，分析了SOl高压器件在纵向和横向上的耐 压原理。通过比较提出薄膜SOl上实现高击穿电压方案，并通过仿真预言其可行性。在埋氧层为 程。为实现均一的横向电场，设计了具有线性渐变掺杂60trm漂移区的LDMOS结构。为提高纵 向耐压，利用场氧技术对硅膜进行了进一步减薄。流片实验的测试结果表明，器件关态击穿电压 可达600V以上(实测832V)，开态特性正常，阈值电压提取为1．9V，计算开态电阻为 50Q·mm2。 关键词：绝缘体上硅；横向扩散金属氧化物半导体；击穿电压；线，}生渐变掺杂；注氧键合 中图分类号：TN386文献标识码：A ThinFilmSoI ofLDMOSDeviceover600V011 Study Dawei Zhongjianl”，XiaCha01”，Xu1,2，ChengXinhon91， Wang 1 ZhaoruiYuehui Song 1．YU FunctionalMaterials Institute (1．StateLaboratoryof for ofMicro—System＆ Key Informatics，Shanghai ofSciences，Shanghai200050，China； InformationTechnology，ChineseAcademy 2．Graduate Chinese 100049，China) Universityof AcademyofSciences，Beijing over600V devicesontheS01 withstand ordertofabricate Abstract：In highvoltage wafer，the oftheSOIdevicewas fromhorizontalandvertical of voltagetheory analyzed aspects．Realizationhigh film and S01LDMOS onthin S01was verifiedsimulation．CMOS voltage proposed by