弛豫时间对双势垒结构电子输运性质的影响 Effect of Relaxation Time on Electron Transport Properties in Double-Barrier Structures.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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弛豫时间对双势垒结构电子输运性质的影响 Effect of Relaxation Time on Electron Transport Properties in Double-Barrier Structures.pdf

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第27卷第4期半导体学报 v01．27No．4 CHINESEJOURNALOF 2006年4月 SEMICONDUCTORS Apr．，2006 EffectofRelaxationTimeonElectron TransportProperties inDouble-BarrierStructures。 Dai andNiJunl，’ Zhenhon912 AtomicandMolecular (1 of 100084，China) KeyLaboratory Nanoscience，DepartmentofPhysics，TsinghuaUniversity，Beijing (2 Physics，Yantai 264005，China) Departmentof University，Yantai a simulationforthe electron Abstract：Usingtime-dependentquantum·kinetic non-equilibriumtransportproper— tiesofdouble-barrierhave and theeffectsoftherelaxationtimeonelectron devices，we investigatedanalyzed inthiskindoflowdimensionalstructure．Theresultsshowthattherelaxationtime，which transportproperties comesfromthe andelectron-defect affectsthe curves，inclu- electron-phonon current-voltage interactions，greatly the and widthofthecurrent． ding plateau-likegradienthysteresis function；electron Keywords：non·equilibrium；Wignertransport PACC：7335；0365；7360L CLCnnmher：TN30Documentcode：A ArticleID：0253．4177(2006)04-0604-05 third，the of ordoublecurrent presencesingle 1 Introduction these hysteresisregionsEl4t1引．All