(Bi,Yb)4Ti3O12铁电薄膜的制备 Preparation of Yb-Doped Bi4Ti3O12 Thin Films.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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(Bi,Yb)4Ti3O12铁电薄膜的制备 Preparation of Yb-Doped Bi4Ti3O12 Thin Films.pdf

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T支撑技术 Supporting Technology S (Bi,Yb)TiO铁电薄膜的制备 4 3 12 成传品唐明华,叶志,钟向丽,郑学军,周益春湘潭大学材料与光电物理学院湖北湘潭 411105 摘要采用稀有金属镱元素对钛酸铋进行掺杂以期获得性能较好的 Bi,YbTiO 铁电薄膜 4 3 12 采用溶胶-凝胶旋涂法在p型Si100基底上成功地沉积出 Bi,Yb TiO [BYT]铁电薄膜用X 3.4 0.6 3 12 射线衍射法对其结构及其成份进行了表征用铁电分析仪 RT66A测试了其铁电性并就影响BYT薄膜铁电性能的因素进行了分析关键词溶胶-凝胶 BYT铁电薄膜制备分析中图分类号 TN305.3O484.4文献标识码 A 文章编号 1003-353X200608-0612-02 Preparation of Yb-Doped BiTiO Thin Films 4 3 12 (Faculty of Material Science Photoelectric PhysicsXiangtan UniversityXiangtan411105China) Abstract: TiO 4 312 properties. Bi,YbTiO 3.4 0.6 3 12 discussed. Key words: sol-gelBYT ferroelectric thin filmspreparationanalysis 1 引言 2 实验近年来, 稀有金属离子掺杂的钛酸铋 2.1实验过程 BiTiO 铁电薄膜成为研究的热点这种材料首先将硝酸铋[Bi(NO)] 醋酸镱[Yb 3 4 3 12 COOCH 结晶温度较低抗疲劳特性好自发极化较大相 3 ]按一定比例共溶于冰醋酸[CHCOOH] 3 3 中加入适量乙酰丙酮[CHO]用作螯合剂形对于SrBiTaO薄膜可望成为铁电随机存储器 5 8 2 2 2 9 [1-6] 成溶液A 再将适量钛酸四丁酯[Ti(OCH)]溶于 FRAM专用材料我们采用溶胶-凝胶旋 4 9 4 [7] 100基底上成功地沉积冰醋酸含少量乙酰丙酮中形成溶液B 再涂法第一次在p型硅将A溶液倒入B溶液中磁搅拌至全溶存放3 出 Bi Yb TiO [BYT]铁电薄膜目前 3.4 0.6 3 12 7天时间后形成澄清稳定的溶胶即成为B