0.5μm OTP工艺开发与器件特性研究 Research on Process and Device of 0.5μm OTP.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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第8卷，第7期电子与封装总第63期 Vbl．8．No．7 2008年7月 ELECTRONICSPACKAGING ’ ，一、一，一。，一＼?。‘_1 ，。’、一一、 j一，一～-． (黟j(、粤》迂jf锯，：《彭{、与，(曩八。曩矗、影 O．5 m u OTP工艺开发与器件特性研究马春霞，李冰 (东南大学集成电路学院，南京2l0096) 摘要：文章对0．5“m一次编程存储器(OTP)存储单元的器件结构、工艺流程、存储单元器件特性及可靠性提高等方面进行了研究。在一定的编程条件下，编程0．1ms时器件的阈值电压能够大于6V，控制栅或漏极加电压los时阈值电压退化量小于O，lV，因此器件的编程速度和编程串扰特性能够满足要求。通过改善浮栅和控制栅层间介质氧化硅一氮化硅一氧化硅(ONO)的质量及采用存储单元覆盖氮化硅保护层等优化措施，存储单元的数据保持能力能够大于10年。关键词：OTP；0NO；编程速度；编程串扰；数据保持能力中图分类号：TN405 文献标识码：A Researchon OTP ProcessandDeViceof 0．5¨m MACh嘶一对a，UBing (配cD比舻∥踟“砌已n肼踟fv已憎f秒，№巧帆210096，鳓f咒口) Abstract：Thisin仃0duce Time deVice OTP(one paper 0．5汕m PmgraumMemory)cell device andcelldatareternion than6V characte时stic impmVement．wtllgiVenpro黟锄condition，Vcouldhigher afterO．1ms a11d couldlowermarIO．1V or蛳nsⅡ-ess ceu pmgramVdecrease aftercon删gate 10s，soprogram aJld disturbcharacteristiccouldreach andceUsur- speedprogram target．111IDu曲ONOqualityimproVement dataretention SINliner，cen could than10 roundingby ability longer years． retention Key disturb；data words：OTP；0NO；pmgr锄speed；program 和数据保持能力。同时对于存储单元区别于普通MOs 1 引言管的特殊器件特性，本文也进行了重点探讨。