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第29卷第1期 电子测量技术 技术应用
2006年2月 ELECTRONICM[EASI7REM哐NTTECHNOLOGY
2~8GHz宽带低噪声放大器设计
张雅松 苏东林 肖永轩北京航空航天大学
声系数≤3.5dB的宽带低噪声放大器。并对该类放大器的制作工艺做了简单介绍.该放大器工艺简单成本较低,可以推广
使用.
关键词低噪声宽带匹配
a2~8GHz诵de-ba眦lLNA
D鹪i印of
su
ZhangYasongD0nglinXiaoYOng】(uan
Abs订舵tA2~8GHzWide_bandLNA(LowNoise dcsencrationand谢deband
Amplifier)using
H1ethodsis TheLNAshowsaround andnoise 1essthall3.5dBThe methodis
preserlted gain 20土1dB figure manufacturing
also Withlowcostand technics, callbeused、^ridel
presented. simple this锄plifier y.
lo、^moise
K0ywords wide—bandimpedancermtching
BandLow
宽带低噪声放火器(U1tra—wide Ro是漏源电阻,gm为跨导,z0为特征阻抗,
Noise
Amplifier)广泛用于电子战设备中的侦察、根据以上原理及公式。结合宽带匹配技术设计的电
干扰、宽频带雷达、微波仪表、光纤通信和超高速 路框图如图1所示。
数字电路等,是目前愈益重要的放大部件。
经过研究,利用宽带匹配技术和负反馈法结合
CAD优化,用两级Agilent公司的HEMT晶体管
ATF_36077在普通FR4基片上制成了2~8GHz的
宽带低噪声放大器,并对此类放大器的相关制作工
艺进行了分析。
1 设计思路
各种形式的微波晶体管的功率增益都是随频率
升高以每倍频程大约6dB规律下降的口]。为实现宽
频带放大器,就必须对增益滚降进行补偿。为了获
得2~8GHz的工作频带我们采用负反馈法。该法
与平衡放大和行波放大法相比具有频带宽、工作稳 图1宽带低噪声放大器原理示意图
定、线性好和较易匹配等优点,缺点是噪声系数有
一定程度变坏(文献[2]中有对三种方法的详细
2 设计原理
比较)。其基本原理是通过控制不同频率下晶体管
外部漏源和栅源间的反馈量,使晶体管的增益在较 由于放大器第一级的噪声系数对整个电路起主
宽频带内保持平坦。放大器的增益可以用下式[23 导作用,第一级输入网络采用最佳噪声匹配。而负
表示。 反馈技术对噪声有较大影响,所以在第一级不采
用。输入网络中的偏置电路设计不仅为最佳噪声偏
置做出贡献,同时也保证了对噪声性能影响最小。
Szl一瓦书蓑参丽㈣2+(踟+意’Zo+等+(1+嚣’
踟+击
其中反馈电阻 RFB一——笋 (2) 空航天大学博士生创新性研究基金
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万方数据万方数据
级间匹配采用RC并联高通补偿网
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