齐齐哈尔大学传感器与虚拟仪器期末试题.docVIP

齐齐哈尔大学传感器与虚拟仪器期末试题.doc

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齐齐哈尔大学传感器与虚拟仪器期末试题

传感器与虚拟仪器期末试题 一、填空题(15分) 1. 传感器的定义:能感受规定的被测量,并按照一定的规律转换成可用输出信号的器件或装置,通常由敏感元件和转换元件组成。 2. 半导体材料、陶瓷材料和有机材料等称为新型敏感材料。 3. 传感技术与通信技术和微计算机技术一起分别构成信息技术系统的“感官”、“神经”和“大脑”,它们是现代信息产业的三大支柱。 4. 人们形象地把传感器比喻为“电五官”。 5. 电阻应变片是一种能将被测试件的应变变化转换成电阻变化的敏感元件。电阻应变片有金属电阻应变片和半导体应变片;而金属电阻应变片又分为金属丝应变片和箔式应变片。 6.金属丝式电阻应变片结构由引线、覆盖层、基片和电阻丝式敏感栅组成。 7.电阻式传感器的温度补偿有自补偿法和桥路补偿法。 8.电容式传感器的分类:变极距型(变间隙型)、变面积型和变介质型。 9.电感式传感器分为:自感式传感器、互感式传感器和电涡流式传感器。 10.热电式传感器分为:热电阻、热电偶和PN结型热电式传感器。 11. 热电偶就是将温度转换为电势值的传感器,其热偶工作的基本条件:两电极材料不同,两接点温度不同。 12. 根据功能的不同,集成霍尔器件分为霍尔线性集成器件和霍尔开关集成器件两类。 13. 磁电式传感器的分类: 恒定磁通式和变磁通式。 14. 外光电效应:当光线照射在某些物体上,使物体内的电子逸 出物体表面的现象称为外光电效应,也称为光电发射,逸出的电子称为光电子。基于外光电效应的光电器件有:光电管和光电倍增管。 15. 当光照射在物体上。使物体的电阻率发生变化或产生光生电动势的现象称为内光电效应。内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。 16. 基于光电导效应的光电器件有光敏电阻。 17. 在光线作用下,能使物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏特效应。基于光生伏特效应的光电器件有光电池和光敏晶体管。 18. 所谓的虚拟仪器,就是在以通用计算机为核心的硬件平台上,由用户设计定义,具有虚拟面板,测试功能由测试软件实现的一种计算机仪器系统。 19. Labview开发环境包括三个部分:前面板、框图程序和图标/连接口。 三、简答题(6道) 1.什么是直接转换型传感器和间接转换型传感器? 直接转换型传感器:是把输入给传感器的非电量直接转换为电信号输出。 间接转换型传感器:是把输入给传感器的非电量先转换为另外一种非电量,然后再转换为电信号输出。 2.什么是传感器的分辨率? 分辨力是传感器在规定测量范围内所能检测出被测输入量的最小变化量ΔXmin。用该值相对满量程输入值的百分数 (ΔXmin/yFS )×100%表示,称之为分辨率。 3.应变片与压阻膜片的电阻相对变化量dR/R各由什么决定? 电阻相对变化量由两方面因素决定: 一是几何尺寸变化(应变)引起的;二是电阻率变化引起的。对金属材料,前一项是主要的,而对半导体材料,后一项是主要的。 4.应变式加速度传感器的工作原理? 当被测物体以加速度a运动时,质量块受到一个与加速度方向相反的惯性力的作用,使悬梁臂变形,该变性被被粘贴在悬梁臂上的应变片感受到并随之产生应变,从而使应变片的电阻发生变化,电阻的变化引起应变片组成的桥路出现不平衡,从而输出电压,即可得到加速度a值的大小。其基本工作原理是:物体运动的加速度与作用在它上面的力成正比, 与物体的质量成反比,即a=F/m。 5.电容式传感器加云母片的目的? 当初始极板间距d0较小时,可提高电容传感器的灵敏度,但d0过小会引起电容传感器被击穿或短路,因此,添加云母片可防止被击穿且同时可提高传感器的灵敏度。 6.电涡流式传感器的工作原理? 一个扁平线圈置于金属导体附近,当线圈中通有交变电流I1时,线圈周围就产生一个交变磁场H1。置于这一磁场中的金属导体就产生电涡流I2,电涡流也将产生一个新磁场H2,H2与H1方向相反,因而抵消部分原磁场,使通电线圈的有效阻抗发生变化。 7.什么是金属导体的“热电效应”?简述半导体热敏电阻的类型(利用电阻随温度变化特性的不同)。 热电阻效应:物质的电阻率随温度变化的现象。 ?PTC (正温度系数热敏电阻) :温度控制,限流元件; ?NTC (负温度系数热敏电阻) :温度测量,补偿元件; ?CTR(在某一特定温度下电阻值会发生 突变的临界电阻器):温度开关元件。 图 5-28 无触点恒温控制器电路图 8.无触点恒温控制器: 无触点自动温控电路如图5-28所示。其控温范围从室温到150℃,精度为±0.1℃。测温用的热敏电阻RT作为偏置电阻接在T1、 T2组成的差分放大器电路内,当温度变化时,热敏电阻阻值变化,引起T1集电极电流变化,影响二极管D支路电流,从而使电容C充电电流发生变化,则电容电压达到单结晶体管BT峰点电压的时刻发生变化,即单结晶体

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