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40nm工艺带来全新竞争力 New Competitiveness Brought by 40nm Technology
责任编辑:李健
40nm工艺带来全新黄争力 度可达15%
创下业界SA M单位无尺寸及宏
New Competitiveness Brought by 40nm Technology 尺寸的最小纪录
提供通用型工艺及低耗申工艺
李健 《电子产品世界》编辑 以满足多种不同产品应用
巳经有数十个客户进行产品设
计
客户巳经频繁使用晶圆其乘服
全球能源问题的集中瀑发 让半 程带入45nm 而力了给客户提供更 务进行产品验证
导体产品的发展不再仅仅迫求性能的 好地服务 代工巨头台积申(TSMC) 40nm 低耗申量工艺适用干对晶
体管漏申高度敏感的产品应用 例如
提升 而是要综合考虑性能 功耗与 在2008隼辜先丹始提供更先进的40nm
通讯及行动产品 40nm 通用型工艺
成木的平衡点 与众多先进申源管理 工艺 新的代工艺包括提供高效能
则适用干高效能的产品应用 例如中
方案实现降低系统功耗相比 制程工 优势的40nm通用型工艺(40G)以及提
央处理器 绘图处理器 游戏机 网
艺的进步寸是提升性能和降低功耗最 供低耗申量优势的40nm 低耗申工艺
络 可程序化逻辑门阵列(FPGA)以
根木的办法 转向更高制程无疑是提 (40LP) 同时提供完备的40nm 设计
及其他高效能消费型产品应用 40nm
升半导体产品性能功耗比和市场竞争 服务套件及包括经过工艺验证的合作
力最直接有效的办法 厂商硅智材 设计自动化工臭 以及 工艺是由45nm工艺直接微缩 (Linear
市场研究机构Gartner Dataquest产 TSMC的申性参数模型(SPICE Model) shr ink) 而其SR A M 效能则完全相
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