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700V nLDMOS击穿电压参数设计 The Design of Breakdown Voltage Parameters of 700V nLDMOS.pdfVIP

700V nLDMOS击穿电压参数设计 The Design of Breakdown Voltage Parameters of 700V nLDMOS.pdf

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700V nLDMOS击穿电压参数设计 The Design of Breakdown Voltage Parameters of 700V nLDMOS

第11卷,第7期 电子与封装 总第99期 V01.11.No.7 2011年7月 ELECTRONICSPACKAGING 喾簿⑧霉霉④②霪⑧ 700V nLDMOS击穿电压参数设计 文燕,张枫,李天贺,李娜 (深圳方正微电子有限公司,广东深圳,518116) 摘要:为了不增加器件成本,方便和低压器件集成到一起时实现自主隔离,因而迫切需要解决既 能兼容普通半导体材料工艺又能达到相应技术性能要求的器件设计。为此设计了一种采用NWELL 结构及场极板设计是控制源漏击穿电压的关键。我们利用半导体工艺模拟软件Athena和Atlas着重对 NWELL漂移区的长度、注入剂量、结深与器件的耐压关系以及场极板的长度与器件的耐压关系进行 nLDMOS击穿电压的次优解。通 了模拟仿真。最后利用迭代法对这些参数进行了优化,得到了700V 过在CMOS工艺线上流片验证,得出此器件的耐压能达700V,与模拟仿真一致。 关键词:nLDMOS;漂移区;场极板;击穿电压 1)07-0035-04 中图分类号:TN406 文献标识码:A 文章编号:1681—1070(201 nLDMOS BreakdownParametersof700V The of Voltage Design WEN Na Yan,ZHANGTian—he,LI Feng,LI MicroelectronicsInternational 51811 (Founder Co.,Ltd.,Shenzhen6,Ch/na) toincreasethecostofthe with devicestoachieve Abstract:Inordernot device,beintegratedlow—voltage we needdevicenot withcommonsemiconductormaterials self-isolation onlycompatible easily,SOurgently butalso technical introducethe performance.Therefore,thispaper technologyachievingcorresponding thedrainandthesourcewith deviceNWELLasdrift insteadof andendsof by region N-epitaxiallayer drift andthefield stru

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