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700V nLDMOS击穿电压参数设计 The Design of Breakdown Voltage Parameters of 700V nLDMOS
第11卷,第7期 电子与封装 总第99期
V01.11.No.7 2011年7月
ELECTRONICSPACKAGING
喾簿⑧霉霉④②霪⑧
700V
nLDMOS击穿电压参数设计
文燕,张枫,李天贺,李娜
(深圳方正微电子有限公司,广东深圳,518116)
摘要:为了不增加器件成本,方便和低压器件集成到一起时实现自主隔离,因而迫切需要解决既
能兼容普通半导体材料工艺又能达到相应技术性能要求的器件设计。为此设计了一种采用NWELL
结构及场极板设计是控制源漏击穿电压的关键。我们利用半导体工艺模拟软件Athena和Atlas着重对
NWELL漂移区的长度、注入剂量、结深与器件的耐压关系以及场极板的长度与器件的耐压关系进行
nLDMOS击穿电压的次优解。通
了模拟仿真。最后利用迭代法对这些参数进行了优化,得到了700V
过在CMOS工艺线上流片验证,得出此器件的耐压能达700V,与模拟仿真一致。
关键词:nLDMOS;漂移区;场极板;击穿电压
1)07-0035-04
中图分类号:TN406 文献标识码:A 文章编号:1681—1070(201
nLDMOS
BreakdownParametersof700V
The of Voltage
Design
WEN Na
Yan,ZHANGTian—he,LI
Feng,LI
MicroelectronicsInternational 51811
(Founder Co.,Ltd.,Shenzhen6,Ch/na)
toincreasethecostofthe with devicestoachieve
Abstract:Inordernot device,beintegratedlow—voltage
we needdevicenot withcommonsemiconductormaterials
self-isolation onlycompatible
easily,SOurgently
butalso technical introducethe
performance.Therefore,thispaper
technologyachievingcorresponding
thedrainandthesourcewith
deviceNWELLasdrift insteadof andendsof
by region N-epitaxiallayer
drift andthefield stru
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