700V nLDMOS击穿电压参数设计 The Design of Breakdown Voltage Parameters of 700V nLDMOS.pdfVIP

下载本文档

26
0
约1.38万字
约 5页
2017-08-12 发布于上海
举报
版权申诉

700V nLDMOS击穿电压参数设计 The Design of Breakdown Voltage Parameters of 700V nLDMOS.pdf

1、本文档共5页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

700V nLDMOS击穿电压参数设计 The Design of Breakdown Voltage Parameters of 700V nLDMOS

第11卷，第7期电子与封装总第99期 V01．11．No．7 2011年7月 ELECTRONICSPACKAGING 喾簿⑧霉霉④②霪⑧ 700V nLDMOS击穿电压参数设计文燕，张枫，李天贺，李娜 (深圳方正微电子有限公司，广东深圳，518116) 摘要：为了不增加器件成本，方便和低压器件集成到一起时实现自主隔离，因而迫切需要解决既能兼容普通半导体材料工艺又能达到相应技术性能要求的器件设计。为此设计了一种采用NWELL 结构及场极板设计是控制源漏击穿电压的关键。我们利用半导体工艺模拟软件Athena和Atlas着重对 NWELL漂移区的长度、注入剂量、结深与器件的耐压关系以及场极板的长度与器件的耐压关系进行 nLDMOS击穿电压的次优解。通了模拟仿真。最后利用迭代法对这些参数进行了优化，得到了700V 过在CMOS工艺线上流片验证，得出此器件的耐压能达700V，与模拟仿真一致。关键词：nLDMOS；漂移区；场极板；击穿电压 1)07-0035-04 中图分类号：TN406 文献标识码：A 文章编号：1681—1070(201 nLDMOS BreakdownParametersof700V The of Voltage Design WEN Na Yan，ZHANGTian—he，LI Feng，LI MicroelectronicsInternational 51811 (Founder Co．，Ltd．，Shenzhen6，Ch／na) toincreasethecostofthe with devicestoachieve Abstract：Inordernot device，beintegratedlow—voltage we needdevicenot withcommonsemiconductormaterials self-isolation onlycompatible easily,SOurgently butalso technical introducethe performance．Therefore，thispaper technologyachievingcorresponding thedrainandthesourcewith deviceNWELLasdrift insteadof andendsof by region N-epitaxiallayer drift andthefield stru