网站大量收购独家精品文档,联系QQ:2885784924

InGaAsInAlAs盖帽层对InAs自组装量子点发光性质的影响 Photoluminescence Characteristics of InAs Self-assembled Quantum Dots Capped with InGaAs and InAlAs Layers.pdfVIP

InGaAsInAlAs盖帽层对InAs自组装量子点发光性质的影响 Photoluminescence Characteristics of InAs Self-assembled Quantum Dots Capped with InGaAs and InAlAs Layers.pdf

  1. 1、本文档共4页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
InGaAsInAlAs盖帽层对InAs自组装量子点发光性质的影响 Photoluminescence Characteristics of InAs Self-assembled Quantum Dots Capped with InGaAs and InAlAs Layers

孔令民等: 《半导体光电》2008年6月第29卷第3期 子点发光性质的影响 孔令民1,姚建明1,吴正云2 11.浙江海洋学院物理系,浙江舟山316000;2.厦门大学物理系。福建厦门361005) 摘 要: 采用变温及时间分辨光致发光谱研究了MBE设备生长的具有不同盖帽层的InAs 量子点样品。发现引入InGaAs盖帽层可以使InAs量子点发光的半高宽减小,且向长波长移动。 “m;在10~300K温度范围内,发光峰值能量及半高宽随温度的变化都较小。随温度升高,InAs 量子点的发光寿命首先增大,当温度升高到临界温度Tc后,发光寿命逐渐减小。但覆盖不同盖帽 层的InAs量子点样品,其发光寿命具有不同的温度关系,联合盖帽层样品具有较大的T。及发光 寿命。根据应力及载流子迁移模型对以上实验结果进行了分析。 关键词: 盖帽层;InAs量子点;时间分辨谱 中图分类号:TN304.32 PhotoluminescenceCharacteristicsofInAsSelf-assembledDots Quantum withInGaAsandInAIAs Capped Layers KONG Ling—minl,YAoJian—min91,WUZheng—yun2 of ocean 316000,CHN; (1.DepartmentPhysics,ZhejiangUniversity,Zhoushan of 361005,CHN) 2.DepartmentPhysia,XiamenUniVe佰ity,Xiamen fabricatedmolecule Abstract:InAs different were quantumdots(QDs)withcaplayers by beam andtime—resolved Temperature—dependent epitaxy(MBE)system. measurementswere to PL ofInAs InAs withInGaAs employedstudypropertiesQDs. QDs cap an djminutjonofPLemissionfullwidthathalf ared— showobvious maximum(FWHM)and layer shiftofPL InGaAsandInAlAscombination further PL peak. caplayer(CCL)couldimprove ofInAs andleadtoabove1.3 emissionatroom Thesmallest propertiesQDs pm temperature. FWHMofInAswithCCLis 24meVaround240KandthevariationsofPL

您可能关注的文档

文档评论(0)

hello118 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档