InGaAsInAlAs盖帽层对InAs自组装量子点发光性质的影响 Photoluminescence Characteristics of InAs Self-assembled Quantum Dots Capped with InGaAs and InAlAs Layers.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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InGaAsInAlAs盖帽层对InAs自组装量子点发光性质的影响 Photoluminescence Characteristics of InAs Self-assembled Quantum Dots Capped with InGaAs and InAlAs Layers

孔令民等：《半导体光电》2008年6月第29卷第3期子点发光性质的影响孔令民1，姚建明1，吴正云2 11．浙江海洋学院物理系，浙江舟山316000；2．厦门大学物理系。福建厦门361005) 摘要：采用变温及时间分辨光致发光谱研究了MBE设备生长的具有不同盖帽层的InAs 量子点样品。发现引入InGaAs盖帽层可以使InAs量子点发光的半高宽减小，且向长波长移动。 “m；在10～300K温度范围内，发光峰值能量及半高宽随温度的变化都较小。随温度升高，InAs 量子点的发光寿命首先增大，当温度升高到临界温度Tc后，发光寿命逐渐减小。但覆盖不同盖帽层的InAs量子点样品，其发光寿命具有不同的温度关系，联合盖帽层样品具有较大的T。及发光寿命。根据应力及载流子迁移模型对以上实验结果进行了分析。关键词：盖帽层；InAs量子点；时间分辨谱中图分类号：TN304．32 PhotoluminescenceCharacteristicsofInAsSelf-assembledDots Quantum withInGaAsandInAIAs Capped Layers KONG Ling—minl，YAoJian—min91，WUZheng—yun2 of ocean 316000，CHN； (1．DepartmentPhysics，ZhejiangUniversity，Zhoushan of 361005，CHN) 2．DepartmentPhysia，XiamenUniVe佰ity，Xiamen fabricatedmolecule Abstract：InAs different were quantumdots(QDs)withcaplayers by beam andtime—resolved Temperature—dependent epitaxy(MBE)system． measurementswere to PL ofInAs InAs withInGaAs employedstudypropertiesQDs． QDs cap an djminutjonofPLemissionfullwidthathalf ared— showobvious maximum(FWHM)and layer shiftofPL InGaAsandInAlAscombination further PL peak． caplayer(CCL)couldimprove ofInAs andleadtoabove1．3 emissionatroom Thesmallest propertiesQDs pm temperature． FWHMofInAswithCCLis 24meVaround240KandthevariationsofPL