InGaNGaN多量子阱蓝光LED电学特性研究 Electrical Characteristics of InGaNGaN MQW Blue Light-emitting Diodes.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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InGaNGaN多量子阱蓝光LED电学特性研究 Electrical Characteristics of InGaNGaN MQW Blue Light-emitting Diodes.pdf

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InGaNGaN多量子阱蓝光LED电学特性研究 Electrical Characteristics of InGaNGaN MQW Blue Light-emitting Diodes

SEMIC0NDUCT0R 0PT0ELECTR0NICS Vol.27 No.3 June2006 光电器件 / 多量子阱蓝光电学特性研究 InGaN GaN LED 刘诗文!郭霞!艾伟伟!宋颖娉!顾晓玲!张蕾!沈光地 (北京工业大学北京光电子技术实验室9北京 100022) 摘要I 对不同温度( )下 / 多量子阱( )结构蓝光发光二极管 1Z0 363 K InGaN GaN MGW ~ ( )的电学特性进行了测试与深入的研究G发现对数坐标下特性曲线斜率随温度变化不 LED I-V 大G分别用载流子扩散复合模型和隧道复合模型对其进行计算9发现室温下其理想因子远大于- Z9并且随着温度的下降而升高5而隧穿能量参数随温度变化不大G这说明传统的扩散复合载流子- 输运模型不再适用于 / 蓝光 G分析指出由于晶格失配以及生长工艺的制 InGaN GaN MGW LED 约9外延层中具有较高的缺陷密度和界面能级密度9导致其主要输运机制为载流子的隧穿G 关键词I 氮化镓蓝光发光二极管理想因子中图分类号I 文献标识码I 文章编号I TN31Z.8 A 1001-5868 Z006 03-0Z40-04 Electrical Characteristicsof InGaN GaN M W BlueLi ht-emittin Diodes 0 g g LIU Shi-Wen GUO Xia AI Wei-Wei SONG Yin - in GU Xiao-lin ZHANG Lei SHEN Guan -di g p g g Bei in 0 toelectronic Technolo Laborator Bei in Universit of Technolo Bei in 100022 CHN j g p gy y j g y gy j g Abstract The electrical characteristics of InGaN GaN multi