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InGaAsInP SAGCM-APD的器件模型及其数值模拟 Device Model and Its Numerical Simulation of InGaAsInP SAGCM-APD.pdfVIP

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InGaAsInP SAGCM-APD的器件模型及其数值模拟 Device Model and Its Numerical Simulation of InGaAsInP SAGCM-APD

!兰!竺垄皇!!!竺!!!星堑!!量至!塑 苎塑兰!!生!垒!!!生皇叁堕望:垒!里竺墨!苎竺墨苎苎竺茎塑 InGaAs/InP 高新江,张秀川,陈 扬 C重庆光电技术研究所,t庆400060) 摘 要: 基于泊松方程和载漉子连续性方程。导出了InGaAs/InPSAGCM—APD(吸收、渐 变、电荷、倍增层分离结构雪崩光电二极管)特性的数学模型,利用数值计算工具对其进行了数值模 拟,得到了APD内部电场分布、增益特性、暗电流特性、过剩噪声和增益带宽特性等的数值结果。 模拟结果与实际器件特性测量结果相符合,表明运用该模型与数值模拟方击可对不同结构参数的 InGaAs/InP SAGCM—APD进行结构设计,工艺改进和特性分析。 关键词: InGaAs/InP;sAGcMAPD;器件模型;数值模拟;器件特性 中圈分类号:TN312.7 Its DeviceModeIandNume—caISimulationofInGaAs/InPSAGCM—APD GAo Xiu-chuan,CHEN Xin-jiang,ZHANG Yang R鹤earch 4∞060.cHN) (Ch删鹊衄0p妇lect咖laI嘣ItuktchonqgiⅡg Abstr粒t:Thede“cemodelofIⅡGaAs/InP SAGCM—APD(separateab∞rption。gfading, avalanche constructedbasedonPoission’s charge,andmuItIplicationphotodiode)was equation andcarrier andsimulated numericalt001.Theresulted continuityequation, byusing characteristicselectric dark excessfactor suchas field current, and profile,multiplication, of of modelAPDwereconsistentwiththemeasuredvalue multiplication-bandwidth practical It APD. showsthatto thecharacteristics.to thestructure andto analyze optimlze designs differentstructu冲sofAPDbe矾fitfrom u5e。fthisnlodeland improve may processing。f maki“g simulationmetho山 SAGCM—APD;devicemodel#numerical Keywords{lnGaAs/InP;

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