InGaAsInP SAGCM-APD的器件模型及其数值模拟 Device Model and Its Numerical Simulation of InGaAsInP SAGCM-APD.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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InGaAsInP SAGCM-APD的器件模型及其数值模拟 Device Model and Its Numerical Simulation of InGaAsInP SAGCM-APD.pdf

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InGaAsInP SAGCM-APD的器件模型及其数值模拟 Device Model and Its Numerical Simulation of InGaAsInP SAGCM-APD

!兰!竺垄皇!!!竺!!!星堑!!量至!塑苎塑兰!!生!垒!!!生皇叁堕望：垒!里竺墨!苎竺墨苎苎竺茎塑 InGaAs／InP 高新江，张秀川，陈扬 C重庆光电技术研究所，t庆400060) 摘要：基于泊松方程和载漉子连续性方程。导出了InGaAs／InPSAGCM—APD(吸收、渐变、电荷、倍增层分离结构雪崩光电二极管)特性的数学模型，利用数值计算工具对其进行了数值模拟，得到了APD内部电场分布、增益特性、暗电流特性、过剩噪声和增益带宽特性等的数值结果。模拟结果与实际器件特性测量结果相符合，表明运用该模型与数值模拟方击可对不同结构参数的 InGaAs／InP SAGCM—APD进行结构设计，工艺改进和特性分析。关键词： InGaAs／InP；sAGcMAPD；器件模型；数值模拟；器件特性中圈分类号：TN312．7 Its DeviceModeIandNume—caISimulationofInGaAs／InPSAGCM—APD GAo Xiu-chuan，CHEN Xin-jiang，ZHANG Yang R鹤earch 4∞060．cHN) (Ch删鹊衄0p妇lect咖laI嘣ItuktchonqgiⅡg Abstr粒t：Thede“cemodelofIⅡGaAs／InP SAGCM—APD(separateab∞rption。gfading， avalanche constructedbasedonPoission’s charge，andmuItIplicationphotodiode)was equation andcarrier andsimulated numericalt001．Theresulted continuityequation， byusing characteristicselectric dark excessfactor suchas field current， and profile，multiplication， of of modelAPDwereconsistentwiththemeasuredvalue multiplication-bandwidth practical It APD． showsthatto thecharacteristics．to thestructure andto analyze optimlze designs differentstructu冲sofAPDbe矾fitfrom u5e。fthisnlodeland improve may processing。f maki“g simulationmetho山 SAGCM—APD；devicemodel#numerical Keywords{lnGaAs／InP；