InGaAsInP SAGCM-APD的器件模型及其数值模拟 Device Model and Its Numerical Simulation of InGaAsInP SAGCM-APD.pdfVIP
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InGaAsInP SAGCM-APD的器件模型及其数值模拟 Device Model and Its Numerical Simulation of InGaAsInP SAGCM-APD
!兰!竺垄皇!!!竺!!!星堑!!量至!塑 苎塑兰!!生!垒!!!生皇叁堕望:垒!里竺墨!苎竺墨苎苎竺茎塑
InGaAs/InP
高新江,张秀川,陈 扬
C重庆光电技术研究所,t庆400060)
摘 要: 基于泊松方程和载漉子连续性方程。导出了InGaAs/InPSAGCM—APD(吸收、渐
变、电荷、倍增层分离结构雪崩光电二极管)特性的数学模型,利用数值计算工具对其进行了数值模
拟,得到了APD内部电场分布、增益特性、暗电流特性、过剩噪声和增益带宽特性等的数值结果。
模拟结果与实际器件特性测量结果相符合,表明运用该模型与数值模拟方击可对不同结构参数的
InGaAs/InP
SAGCM—APD进行结构设计,工艺改进和特性分析。
关键词: InGaAs/InP;sAGcMAPD;器件模型;数值模拟;器件特性
中圈分类号:TN312.7
Its
DeviceModeIandNume—caISimulationofInGaAs/InPSAGCM—APD
GAo Xiu-chuan,CHEN
Xin-jiang,ZHANG Yang
R鹤earch 4∞060.cHN)
(Ch删鹊衄0p妇lect咖laI嘣ItuktchonqgiⅡg
Abstr粒t:Thede“cemodelofIⅡGaAs/InP
SAGCM—APD(separateab∞rption。gfading,
avalanche constructedbasedonPoission’s
charge,andmuItIplicationphotodiode)was equation
andcarrier andsimulated numericalt001.Theresulted
continuityequation, byusing
characteristicselectric dark excessfactor
suchas field current, and
profile,multiplication,
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modelAPDwereconsistentwiththemeasuredvalue
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It
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simulationmetho山
SAGCM—APD;devicemodel#numerical
Keywords{lnGaAs/InP;
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