SOI DTMOS温度特性研究 Study on Temperature Characteristics of SOI DTMOS.pdfVIP

糊锄d造Appl与icatio应nM衄衄喇埘醒 ofD同evice咿俨 doi：10．3969／j．issn．1003-353x．2010．07．012 SOI DTMOS温度特性研究 毕津顺，韩郑生，海潮和 (中国科学院微电子研究所，北京100029) 摘要：对比研究了20 65．3％。SOl DTMOS降低了垂直沟道方向的电场，减少了载流子表面散射，因此阈值电压随温度 减小占主导，驱动电流随着温度升高而增大。SOlDTMOS优秀的温度特性，使之非常适合于低 压、低功耗、高温应用。 关键词：绝缘体上硅；动态阈值晶体管；温度特性 中图分类号：TN386文献标识码：A 文章编号：1003．353X(2010)07—0661．03 on CharacteristicsofS01DTMOS StudyTemperatu