Ar~+背面轰击对肖特基势垒特性的影响.pdf

　第 19 卷第 11 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　 . 19, . 11　 V o l N o 　1998 年 11 月　　　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S N ov Ar+ 背面轰击对肖特基势垒特性的影响 李观启　曾勇彪　王剑飞　黄美浅　曾绍鸿 (华南理工大学应用物理系　广州　510641) 摘要　用低能量氩离子束轰击肖特基势垒二极管芯片背面, 能有效减小反向电流和理想因子, 增高势垒高度和减小势垒电容. 对于较大的轰击能量和束流密度, 特性改善的效果较显著. 但 过长的轰击时间会使改善的程度减小, 甚至可能使特性变坏. 实验证明, 势垒特性的改善与界 面态和固定电荷密度的减小有关. 文中利用应力补偿机理对结果进行分析. PACC: 7330, 7340, 8160, 7850 1　引言 众所周知, 肖特基二级管的特性与势垒高度和理想因子有关, 即由于界面状态的影 [ 1, 2 ] [ 3～ 5 ] 响 , 界面态密度不仅与悬挂键有关, 而且与缺陷和金属原子的沾污有关 . 因此可用吸 ( ) 除技术来减小界面态密度, 以改善器件性能. 业已证明, 利用高能量 10keV 离子注入及 ( ) ( ) [ 6～ 9 ] 高温 800 ℃ 和长时间 1h 后退火技术, 能有效地吸除硅中的金属原子和缺陷 . 然 而, 该技术不能用于吸除上部铝电极制造过程中引入的金属原子和缺陷. 实验证明, 用低能 [ 10, 11 ] 量氩离子束轰击器件背面, 能有效改善双极晶体管和M O S 场效应晶体管特性 . 本文研 究轰击能量、时间和束流密度对肖特基势垒特性的影响, 并对结果进行分析. 2　实验程序 + ( ) 利用电阻率为 0. 5～ 0. 8 · 的 型 111 硅外延片和常规平面工艺制成肖特基 cm n n 二极管和M O S 电容器芯片. M O S 电容器的氧化层厚度为 50nm , 其余氧化层的厚度约为 - 2 2 500 , 上部铝电极的面积为 2. 83 ×10 . 将芯片置于离子束镀膜机中, 在 1. 33 的 nm cm m Pa 真空度和室温下, 用能量为 350 和 550