吸收层与倍增层分离的4H-SiC雪崩光电探测器.pdf

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 年 月 吸收层与倍增层分离的雪崩光电探测器 朱会丽 陈厦平 吴正云 厦门大学物理系 厦门 厦门大学微机电中心 厦门 摘要设计和制备了吸收层和倍增层分开的 穿通型雪崩紫外光电探测器 设计器件的倍增层和吸收层厚 度分别为 和 采用 方法减少器件的电流集边效应和器件 表面电场 对器件的暗电流光电流和光谱响应进行了测量 器件在 的低击穿电压下获得了一个高的增益 穿通前器件暗电流约为 数量级 偏压下器件光谱响应的紫外可见比大于 光谱响应的峰值波长 随反向偏压的增大而向短波方向移动在击穿电压附近光谱响应的峰值波长移到此波长远远小于在 时 的响应峰值 结果显示器件在紫外光探测中具有优良的性能 关键词紫外光雪崩光电探测器 中图分类号 文献标识码 文章编号 型探测器与其他探测器相比较其结构更加复 引言 杂对材料的要求也更高 目前国内还没有报道 雪崩光电探测器的研制 本文对高性能的