RTD高频等效电路的研究及应用现状.PDF

第 26卷第 1期 电 子 器 件 Vo1．26．No．1 2003年 3月 ChineseJoumal ofElectron Devices March．，2003 Recently Research and Application ofHigh—frequency Equivalent—circuitofResonantTunnelingDiodes WANGJianlin LIUZhongli (MicroelectronicsRD Center，SemiconductorInstituteofCAS，Bejiing100083P．R．China) Abstract： Inthispaper，aparticularreview ofseveral high-frequency equivalent-circuitmodelsofresonanttunneling diodes(RTD)isgiven，andtheappliedconditionsofseveralmodelsareanalyzednaddiscussed．Itissuggestedthat，in thelimitof40GHz，thehigh-frequencycharacter-izationofRTD basedonCECM issuccessfu1． Keywords： RTD ；equivalent-circuit；high-frequency EEACC ： 2570A ；2560X；1130 RTD高频等效电路的研究及应用现状 王建林 刘 忠立 (中国科学院半导体研究所微 电子研发中心，北京 ，100083) 摘要 ：详述 了RTD器件各高频等效 电路模型及其各模型 的应用与适用条件 。并在 40GHz以下 的频率范围内，用 CECM描述 RTD器件 的高频特性也较成功 。 关键词 ：RTD；等效 电路 ；高频 中图分类号 ：TN31 文献标识码 ：A 文章编号 ：1005—9490(2003)O1—0029—05 1 等效 电路模型及分析 在微波 、毫米波领域 ，共振隧穿二极管 (RTD)有 很好 的应用潜 力 。对 于 RTD器件 的高频应用 ，我们 RTD器件等效 电路模型 ，可 以分为三大类 ，一是 不仅需要知道器件 的响应时间，还必须 了解器件 的 基于相干 隧穿机制 的等效 电路模型…，二是基于顺 最大工作频率 、器件高频 电导及其描述 的参数和物 序隧穿机制提 出的等效 电路模型 。J，三是基于耗尽 理意义等。精确 的等效 电路模型有助于深入 了解器 区渡越 时间延迟提 出的等效 电路模型 ¨。下面对这 件的工作原理 ，可 以为器件及其集成 电路 的设计提 些模型进行描述 ，并分析各 自的特征 。 供理论根据 。 (1) 基于相干隧穿的等效 电路模型(cEcM) 本文详细描述 了 RTD器件 的 CECM、SECM 和 不 同势垒宽度 的双势垒样 品时间演化 的光谱实 TDECM三种高频等效 电路模型及各模型 的应用 ，分 验表 明 ，对 于薄势垒样 品 ，所测到 的逃 逸时间接近相 析和讨论 了各模 型的适用条件 ，并指 出在 40GHz以 干共 振 隧穿原理 计算 的第 一共 振准束缚 态寿命 下的频率范 围内，用 CECM 描述 RTD器件 的高频特 (r．)6。。 性是比较 成功的。 将上述研究成果