电针对大鼠局灶脑缺血再灌注后脑内血管生长因子及血管抑制因子表达影响.doc

电针对大鼠局灶脑缺血再灌注后脑内血管生长因子及血管抑制因子表达影响[摘要]目的：探讨电针对缺血性脑卒中的作用机制。方法：线栓法制备Wistar大鼠局灶脑缺血再灌注模型。将大鼠随机分为正常组、模型组、电针组。选取双侧“合谷”穴为电针穴位，采用原位杂交法检测血管内皮生长因子(VEGF)mRNA的表达，免疫组化法检测血管生成素(Ang-1)和内皮抑素(Endostatin)蛋白的表达。结果：模型组VEGF mRNA、Ang－1蛋白、Endostatin蛋白的表达较正常组增加(PO．05)，但再灌注后24 h观察到Ang－1蛋白升高(P 较，再灌注后2 h明显增加(P0．05)。Endostatin蛋白主要在缺血半暗带表达，包括侧脑室周围、海马、纹状体等部位，但皮质少见；主要在血管内皮细胞表达，但神经细胞也有少量表达。电针组(见图6)：Endostatin蛋白表达和正常组比较，再灌注后2 h虽增加(P0．05)；和模型组比较，Endostatin蛋白表达在再灌注后3 d内明显被抑制，有统计学意义，3 d后差异无显著性意义(P0．05)，但仍然可见表达降低的趋势。见表3。 3　讨论 3．1血管生长因子的表达 脑缺血后的血管新生可被一系列血管生长因子和血管抑制因子调节。血管生成生长因子具有正性调控作用，包括内皮细胞特异性的VEGF家族、Ang家族等。它们相互联系，共同调节血管生成的各个环节。VEGF／VEGFR系统可能在启动血管新生中发挥关键性作用，是整个脑缺血后血管新生调控的中心环节。VEGF是内皮细胞特异性的促有丝分裂原和趋化因子。本实验中，脑缺血后血管生长因子表达增加，VEGF mRNA在再灌注后2h即开始增加，24 h达高峰，并持续到14d仍有显著性差异。Ang－1蛋白在再灌注后24h才开始增高，延迟到14d到达高峰，21d仍未回到正常组水平。提示VEGF可能主要在脑缺血的早、中期发挥作用，而Ang－1主要在中、晚期发挥作用，两者的作用在时相上有交叉、重叠。Ang系统与VEGF系统相互补充和协调，Ang－1的活性在VEGF发挥作用后才开始增强，增加血管分支和重塑，促进血管成熟与稳定。VEGF与Ang－1的表达时间差异，可能是脑缺血早期VEGF激活内源性血管新生过程，引起血管通透性增加，血脑屏障(BBB)功能破坏，而Ang－1对新生内皮的迁移有抑制作用，介导血管成熟，防止BBB过度破坏。 在电针组中，再灌注后2 hVEGF mRNA比模型组增加，24 h达高峰，直到14d仍有统计学意义，提示电针组VEGF mRNA较模型组升高更为明显和持久。Ang－1蛋白电针组在再灌注后2h即比正常组增加，和模型组相比，Ang－1蛋白再灌注后2h开始增加，14d达高峰，21d仍有显著性差异。提示电针组Ang－1蛋白增加比模型组更早、更显著。既往实验对局灶脑缺血再灌注研究多集中在早期，本实验将时间点延长到21d，更加全面地反映了血管生长因子的表达时程。电针刺激最多只有7d，但21d血管生长因子的表达仍较模型组增高，提示电针治疗效果持续时间较长。 本实验观察到VEGF和Ang－1表达部位主要在缺血区周围，且神经细胞和血管内皮细胞都有表达。这些结果提示，血管生长因子可能同时作用于神经细胞和血管内皮细胞，介导神经和血管的相互作用，在脑缺血后的神经系统和血管系统的修复重建过程中发挥重要的桥梁和纽带作用。“神经血管单元”由神经细胞、血管内皮细胞、星形胶质细胞三类主要细胞及其位于它们周围的维持大脑组织完整性的细胞外基质组成，在脑缺血后作为一个整体来综合考虑。这个概念强调细胞与细胞之间、细胞与基质之间的相互作用和动态平衡，以动态的观点全面反映脑缺血后的病理生理过程。VEGF和Ang－1的作用是否与“神经血管单元”有关，电针刺激对“神经血管单元”又有怎样的影响，它们的作用机制如何，这还需要进一步的探索。 3．2血管抑制因子的表达 既往，脑缺血后血管新生的研究较注重血管生长因子，而对血管抑制因子关注不够。血管抑制因子包括内皮抑素(Endostatin)、血管抑素(Angiosta―tin)等，具有负性调控效应，拮抗血管生长因子的作用。Endostatin多途径诱导内皮细胞凋亡，抑制内皮增生、迁移，阻断VEGF受体活化等。血管新生能力的强弱取决于这两者之间的动态平衡，调控这两者的平衡有助于促进或抑制血管生长。目前Endostatin多用于抑制肿瘤生长的研究，尚无En―dostatin在脑缺血后表达的报道。本实验中，血管抑制因子表达在脑缺血后2h增加，并有统计学意义，在12h达高峰，与内皮细胞凋亡的时间基本吻合，而在7d差异即没有显著性意义。Endostatin在早期( 1