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二端变类器实现忆阻元件 realization of memristor by two-port mutator

第 33卷 第 3期 电气 电子教学学报 Vol_33 NO.3 2011年 6月 J0URNAL0FEEE Jun.20ll 二端变类器实现忆阻元件 王清华,宋卫平 (太原科技 大学 电子信息工程学院,山西 太原 030024) 摘 要 :忆阻元件是 由蔡少棠先生根据对称原理推测出的第 四种基本 电路元件 。变类器是线性二端 口类型变换器的统称 。它 的作用是把 电路 元件从一种类型转变为另一种类型 。本文根据忆阻元件的一般特性 ,介绍 了利用二端变类器实现忆 阻元件 的状态方程 ,并利用第 1型 R—M变 类器和第 Ⅱ型 R—M变类器和电阻元件结合,给出了可 以表征忆阻元件特性的电路原理模型图。 关键词 :变类器,忆阻元件 ,状态方程 中图分类号:TMI3 文献标识码 :A 文章编号 :1008—0686(2011)03—0056—03 Realization ofM emristorbyTwo—portM utator WANGQing-hua,SONGWei—ping (Sc^o0 0fElPcfr。ncnn f/brmn£。E gnPPrng,了 “nnU ers£ 。,SfenfP Techn。Zog ,TaiM口030024,Chin口) Abstract:L.Chuainferredthatmemristoristhefourthfundamentalcircuitelementbysymmetryprinciple. Mutatoriscollectivenameoflineartwo_portconverterswhich convertsthecircuitcomponentsfrom one typeintoanothertype.Inthispaper,basedonthegeneraIcharacteristicsofmemristordevice,wegivethe equationsofstatebyusingatwo—portmutatortorealizememristorandhasproposedthecircuitmodelof thetypeI R—M mutatorandthetypeIIR—M mutator Keywords:mutator;memristOr;equationofstate 作用是把电路元件从一种类型转变为另一种类型。 t, 5I置 一 般变类器可用有源元件综合而成。利用变类器可 基本电路理论 中,常见 的基本 电路元件有 :电 以用四种基本二端元件电阻、电感 、电容 、忆阻中的 阻、电感 、电容 。这些元件的特性是用电压、电流、磁 任意一种来实现其他三种。本文通过对忆阻元件特 链和电荷这 4个物理量来表征。1971年 ,蔡少棠 性 的分析 ,根据二端 口网络理论 ,给出了将非线性电 (L.Chua)先生指出应该有六个数学关系来联接这 阻通过变类器转换成忆阻元件的电路模型。 四个基本的物理量 。但现在 只有五个确定 的关系 , 1 忆阻元件 的特性 从对称的观点看 ,推测出有第 四种基本元件存在 ,他 称为忆阻器 (M),用来反映电荷和磁链之间的函数 由电磁场理论知道 ,电压 、电流 、磁链和电荷之 关系L1]。2008年惠普实验 室的 Williams等人 []成 间存在着下述关系: 功的在纳米尺度下制作 出了具有忆 阻特性的器件, i— dq/dt “一 dgt/dt (1) 从而

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