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AlGaInP 四元系材料渐变异质结及其在高亮度发光二级管 - 物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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!#$%’ 四元系材料渐变异质结及其在
高亮度发光二级管器件中的应用!
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刘 鲁 范广涵 廖常俊 曹明德 陈贵楚 陈练辉
!)(华南师范大学信息光电子科技学院金属有机化合物气相沉积实验室,广州 #!$%!)
)(华南师范大学信息光电子科技学院量子电子研究所,广州 #!$%!)
( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿)
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引入渐变理论,通过建立()*+,-. 四元系材料渐变异质结能带简单模型,分析在渐变长度相同、不同渐变方式
下导带边的情况 分析不同掺杂浓度下,渐变区长度变化对势垒尖峰值和 区电势能之间差值的影响 讨论了渐变
/ - /
方式引入高亮度发光二极管( )器件的作用和意义
012345 /
关键词:镓铝铟磷,异质结,渐变,二极管
:
’!(( 6’#$*
构,增加电子注入效率,同时减少输入载流子的流失
!9 引 言 和非辐射复合造成的损失/ 量子阱用于发光二极管
主要是多量子阱结构,而且发现发光效率随量子阱
镓铝铟磷系列材料在可见光区是理想的发光材 数的增加而增加,对提高发光效率比用布拉格反射
[ ]
料,已经应用于制造从红光到黄光的012345 中/ 器还好! / 近来还发展成一种高效率低电压共振腔
[ , ]
012345 以其高亮度,高效节能,环保安全的特 结构! !: / 张应力包层用于异质结也是为了减少电
[ ]
点,已经是一种得到广泛关注和在加速开发的新型 子损耗从而提高发光效率!# /
固体光源 与追求单模、低阈值、窄线宽的半导体激 在现行的 中采用突变双异质结( )
/
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