第章半导体器件的特性.ppt

电子线路;目 录;第一章 半导体器件的特性;§1.1 半导体的导电特性;半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。;以硅原子结构为例：; 价电子为两个原子所共有，形成共价健结构。;本征激发和复合;锗和硅共价键结构示意图 ;结果：; 在本征半导体中，载流子总是不断的产生，又总是不断的复合，在一定温度下，产生与复合最终达到动态平衡，使载流子浓度为定值。;二、杂质半导体;特点：;+4;三、两种导电机理; 例如一块处于热平衡状态的半导体中，均匀分布的自由电子和空穴不会因随机运动而造成电荷的定向流动。 ; 虚线为半导体中任一假想面，两侧存在浓度差，因而造成载流子沿X 方向的净流动（类似于定向运动）。这种因浓度差引起载流子的定向运动称为扩散运动——产生的电流称为扩散电流。;§1.2 PN结;一、PN结形成：;§1.2 PN结;§1.2 PN结;§1.2 PN结;§1.2 PN结;§1.2 PN结;二、PN结的伏安特性;§1.2 PN结;§1.2 PN结; 反向特性;V;§1.2 PN结;§1.2 PN结; 伏安特性;通过实际测量，用描点法可绘出PN 结的伏安特性曲线。; 例：当IS=10 -15A ，V0.54V 时；;§1.2 PN结;§1.2 PN结;三、PN结的击穿特性;§1.2 PN结;1、雪崩击穿：;§1.2 PN结;§1.2 PN结; 稳压管的V-I特性曲线 ;§1.2 PN结;§1.3 晶体二极管;§1.3 晶体二极管; 在分析电路时，电路中的各个实际器件都必须用相应的模型来表示。力求采用最简单的模型，使电路分析简化，便于从分析结果中直观地揭示电路的主要特性。;在理想条件下，推导出的数学表达式：;3. 简化电路模型： ;特点 ：; 用折线逼近的伏安特性曲线;4. 小信号电路模型： ; 如果考虑PN结的串接电阻 rS，晶体二极管的小信号电路模型为图a所示。 ; 小信号电路模型受到ΔV足够小的限制。工程上限定|ΔV | 5.2mV，由此产生的误差是允许的。;1、PN结的伏安特性; 当vD为负值，即PN结反偏时， 并且|vD|VＴ时，则有： ， ;2、实际二极管的伏安特性;1、正向特性（如图(a)所示，OA段为正向特性） ;2、反向特性（如图所示，OB段为反向特性） ;3、理想二极管的特性 ;（1）最大正向电流IFM；（最大整流电流） ;例1：设??极管为理想的，试判断电路图中，各二极管是否导通？并求V0值。 ;+ V0 -;四、二极管电路的应用 ; 半波整流电路;0;*; 桥式整流电路; 电容滤波电路： ;设初始时 VO = 0 ，VC = 0， ;并联式稳压电路;作用：是用来限制输入信号电压范围的电路。 ;上限幅 ;第一章 例 题;§1.4 双极型晶体管;一、晶体管的结构及符号 ;E;即 NPN型与 PNP型;二、晶体三极管的主要特性： ;二、晶体管内载流子的传输过程;P;（2） 电子在基区扩散和复合的过程： ;P;（4）运动过程的载流子电流的关系： ;R1;总结两个PN结，共同形成流入基区的载流子电流为; 综上所述可得： ;分析讨论： ; 通过上面的分析可知，在制造晶体三极管时，必须满足下列条件： ;三、晶体管电流放大作用及电流分配关系 ;双口网络 ; 共基极接法电路如图所示。 发射极E为输入端，集电极C输出端，基极B公共端。 IC与IE之间有一定的比例关系—共基极电流放大倍数hFB。（F表示放大，B表示基区）晶体管制作时：hFB =IC/IE;IB;IB;（2）共发射极直流电流传输方程 ;以上（1）（2）两组方程在今后分析电路时经常用到。;　归纳两点：;IB;B;2．再作VCE=1V的曲线;（二）、输出特性曲线;饱和区;（a）; VBE=[-3-(-2)]V=-1V，发射结反偏；VBC=[-3-0]V=-3V，集电结反偏；该管工作在截止状态。;五、晶体管的主要参数;§1.5 场效应管; 场效应管是另一种具有正向作用的半导体器件，其利用的是电场效应来控制管内电流。输入端的PN结工作于反向偏置。;N;P; 正常工作时，结型管的栅源之间必须加反向偏压。即对N沟到管VGS0，为负值，以保证场效应管有较高的输入电阻；; 在漏源之间加上适当的电压VDS：;（1）转移特性曲线 ;（ 2 ）输出特性曲线 ;X;X;X;场效应管有三个工作区域： ;二、绝缘栅场效应管; N;N;N;N; 2、VDS对