基于doe优化设计抛光工艺参数 optimal process parameter design of cnp based on doe.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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基于doe优化设计抛光工艺参数 optimal process parameter design of cnp based on doe.pdf

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基于doe优化设计抛光工艺参数 optimal process parameter design of cnp based on doe

基于DOE优化设计抛光工艺参数卢海参，何良恩，刘建刚 (宁波立立电子股份有限公司，浙江宁波315800) 摘要：适宜的抛光工艺参数对si片表面平整度刑、T1R、STIR等参数起到至关重要的作用。介绍了化学机械抛光(CMP)有效实现Si片全局和局部平坦化的方法和设施，指出并说明 of CMP是一种化学作用和机械作用相结合的技术，给出了其影响因素。利用DOE(design experiment)实验方法，结合实际生产条件，获得并验证了最优化的生产工艺参数，改善了si片表面平整度。关键词：化学机械抛光；硅片；实验设计中图分类号：TN304文献标识码：A ProcessParameterofCMPBasedonDOE Optimal Design Lu Haishen，HeLiang’en，LiuJiangang Electronics 315800，‰) (QL Co．，删．，Ningbo conditionsof are forsudaceflatnessof Abstract：Appropriateprocess polishingextremelyimportant silicon localand of wafer(including卵V，彻，STIR)．Howeffectivelyrealizing globalplanafiz组tion that siliconwaferchemical-mechanical outanddiscussed polishing(CMP)wasintroduced．It懈pointed of on Wait CMPisacombinationchemicalandmechanical effectfactorsCMP technologies．mle given．Witll manufacture of are conditionsand practical DOE(designexperiment)，theoptirealprocessparameters obtainedandvalidatedfor thesurfaceflatnessofsiliconwafer． improving Keywords：CMP；Siwafer；DOE EEACC：2550E 分布；抛光液浓度对si片去除速率又有极大的影 0引言响【引。因此，如何优化这些工艺参数获得Si片最佳的表面平整度，就成为生产中提高产。品品质的关化学机械抛光(cMP)是一个复杂的化学机械加工过程，其加工质量和水平与被抛光材料的特