基于gaas statz模型的rf mosfet dc建模技术 rf mosfet dc modeling technique based on gaas statz model.pdfVIP

删撼鳃验． DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．2011．08．004 基 MOSFET 模型的RF DC建模技术 程加力1’2，韩波1，李寿林1，翟国华1，+高建军1’3 (1．华东师范大学信息科学技术学院，上海200241；2．淮海工学院电子工程学院， 江苏连云港222005；3．复旦大学ASIC国家重点实验室，上海201203) 摘要：STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型，具有表达式简洁、参数少的优点。 直流模型的参数。为了提高仿真精度，模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻，根据 MOSFET处于强反型区且漏一源电压为零时的等效电路模型提取了晶体管的漏极和源极的寄生电 线与仿真曲线一致性很好，验证了模型的良好的精确度，证明了GaAsSTATZ模型可以用于表征