抛光液组成对linbo3 cmp去除速率的影响 effect of polishing slurry on removal rate of linb03 cmp.pdfVIP

下载本文档

8
0
约1.36万字
约 4页
2017-08-13 发布于上海
举报
版权申诉

抛光液组成对linbo3 cmp去除速率的影响 effect of polishing slurry on removal rate of linb03 cmp.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

抛光液组成对linbo3 cmp去除速率的影响 effect of polishing slurry on removal rate of linb03 cmp

CMP去除速率的影响抛光液组成对LiNb03 侯丽辉，刘玉岭，王胜利，孙薇，时慧玲，张伟 (河北工业大学微电子技术与材料研究所天津300130) 摘要：影响LiNb03化学机械抛光速率的因素很多，如抛光液组成、抛光垫质量、抛光工艺参数等。主要研究了抛光液对去除速率的影响，采用磨料+碱+活性剂的配方，首先分析了抛光液各成分对去除速率的影响机理，然后结合各因素的部分相关实验，从机械、化学角度分析其性质特点，对LiNb03晶片的去除速率进行了研究。结果表明，在保证获得较好抛光表面的前提下，采用的磨料质量分数越高越好，但活性剂体积分数不宜过高，溶液pH值采用无机碱进行调节，即可获得较高的去除速率。关键词：铌酸锂；去除速率；抛光液文献标识码：A 中图分类号：TN305．2 Effectof onRemovalRateof CMP Slurry LiNb03 Polishing Hou Wei Wei，ShiHuiling，Zhang Lihui，LiuYuling，WangShenSi，Sun and (Instituteo，MicroelectronicsTechnologyMater／ah，Hebe／Wn／,肌／ty矿Techno／ogy，T／anj／n300130，Ch／na) factorsaffect as and CMP，such Abstract：Manymay LNb03 polishingslurry，polishingpad polishing effectof onl℃movtl]rateis technologicalparameters．Thepolishingsluny mainlystudied．Polishingslurry mechanismof onl!emovslrateis includesabrasives．alkaliandactive influence agent．髓e polishingslurry then mean$of ofcorrelationfactorsand firstlyanalyzed，andby experiments analysisuponproperties、 rateof waferiswellstudied．Theresultsshowthatonthe of charactedstic，removal LiNb03 premiseobtaining ofabrasives active concentrationshouldnot concentration isbetter，hut surface，higher agent goodpolishing betoo