AlGaN／GaN背对背肖特基二极管氢气传感器.pdfVIP

第29卷 第1期 半 导 体 学 报 Vo1．29 No．1 2008年1月 JOURNAL 0F SEMIC0NDUCT0RS Jan．，2008 AlGaN／GaN背对背肖特基二极管氢气传感器* 王新华 王晓亮 冯 春 冉军学 肖红领 杨翠柏 王保柱 王军喜 (中国科学院半导体研究所，北京 100083) 摘要：通过溅射的方法制作了Pt／AIGaN／GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应．研究了Pt／AlGaN／ GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10％H2(N。气中)的响应，计算了器件的灵敏度；并比较了两种温度条件下 器件对于氢气响应的快慢；空气中的氧气对于器件电流的恢复有重要的作用；最后由热电子发射公式计算了器件在通人 10％的氢气前后有效势垒高度的变化． 关键词：GaN；气体传感器；肖特基二极管 PACC：8280T；7280E；7360P 中图分类号：TN304 文献标识码：A 文章编号：0253．4177(2008)01．0153-04 异质结的气体传感器与GaN的气体传感器相比具有更 l 引言 大的响应． GaN作为第三代半导体材料具有优良的材料特 本文制作并测试了Pt／AlGaN／GaN背对背肖特基 性：物理上坚固耐用，化学性质比较稳定，耐辐射，可以 二极管气体传感器．Pt是采用溅射的方法沉积在A1． 在恶劣的环境中工作；制作的器件具有良好的电学特 GaN／GaN异质结材料表面，这与大多数文献中用电子 性：高击穿电场、直接带隙、低的漏电流等．因此GaN基 束蒸发的沉积方法有所不同．背对背肖特基二极管结构 材料在高温、高频、大功率电子器件、LED、光探测等领 是一种简单的器件结构，两个电极都是肖特基接触，工 域都有广泛的应用前景[1“]．近年来GaN基材料也广 艺比较简单；气氛的改变将引起两个 Pt肖特基接触的 泛应用在各种传感领域[5~7]．基于GaN的传感器可以 势垒高度发生改变，电流的变化会更加明显；背对背接 工作在600℃以上，这是传统si材料无法比拟的．GaN 触的 曲线为对称的s形，这使器件在正向和反向偏 基气敏传感器可用于航天器燃料泄露的探测、有毒及腐 置条件下都能工作．目前国内对基于宽带隙半导体材料 蚀性气体监测，也可直接置于汽车内燃机中探测有害气 的气体传感器研究较少，这种背对背肖特基二极管结构 体成分，减少环境污染，提高燃料效率．采用GaN等宽 的GaN基气体传感器在文献中也少有报道．本文主要 带隙材料的电子设备和传感器可省去卫星和飞机的部 研究了在通人10％氢气前后器件 J． 的变化和不同温 分散热系统以实现更多的功能．因此GaN基气敏传感 度条件下器件对于氢气的时间响应特性，探讨了空气中 器材料和器件的研究对于我国国防、航空航天有着极其 的氧气对于器件电流的影响，根据灵敏度的计算公式计 重要的意义，在有害气体检测和环境保护等方面也拥有 算了传感器在25和100℃条件下对氮气中10％氢气的 广阔的市场前景． 灵敏度，最后计算了氢气引起的器件势垒高度的变化． 1999年，美国Pennsylvania州立大学的Luther等 2 实验 人L8 在世界上第一个研制出基于Pt／n—GaN肖特基二 极管的传感器，在200～400℃温度范围测试了器件对 2．1 材料生长和器件制备 于氢气、丙烷等气体的响应．Schalwig等人Lg 较早地研 究了Pt／GaN肖特基二极管气体传感器，对比了Ga，N 实验中使用的样品是采用MOCVD方法在(0001) 两种表面极性对气体响应的不同，并探