铜铟镓硒柔性薄膜太阳电池的制备及性能表征 preparation and property of cuin1-x-xgaxse2 thin film solar cells on flexible substrates.pdfVIP

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2017-08-18 发布于上海
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铜铟镓硒柔性薄膜太阳电池的制备及性能表征 preparation and property of cuin1-x-xgaxse2 thin film solar cells on flexible substrates.pdf

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铜铟镓硒柔性薄膜太阳电池的制备及性能表征 preparation and property of cuin1-x-xgaxse2 thin film solar cells on flexible substrates

里整煎至皿■衄U 铜铟镓硒柔性薄膜太阳电池的制备及性能表征方小红，赵彦民，杨立，冯金晖，李巍 (中国电子科技集团公司第十八研究所化学与物理电源技术重点实验室，天津300381) 摘要：以厚度为25．70um的钛箔为衬底。直流磁控溅射法制备O。8～1．2 pm的底电极Me薄膜，而后以Culn和 S／CdS亿nO亿A0／AI。其光电转换效率达到7．3％(25℃，AM0J。关键词：铜铟镓硒；薄膜；太阳电池；柔性中图分类号：TM914．4 文献标识码：A 文章编号：1002—087 X(2009)05—0406—03 and thinfilm of solarcells Culnl——．GaxSe2 Preparationproperty onflexiblesubstrates FANG Wei Xiao—hong，ZHAOYan—rain，YANGLi，FENGJin．hui，LI LabofPower InstituteofPower Key Sources，rianjin300381，China) (National Sources，Tianjin thinfjlmsolarcellswere on thickTifoilsflexibleSUbstrates．A0．8-1。2 27-70／4m Abstract：Culnl一届a,Se2 preparatived was DC sewedasthebackcontact．TheCIGS p．mmolybdenum(Me)layerdepositedby magnetmnsputtering，which were the metallic Cu-Ga method．Cu-ln-Ga were absorbinglayers grownby two-step precursorsdepositedusing andCu-ln DC metallic films selenizedinvacuum were alloytargetsby magnetronsputtering．Theprecursor and ZnOwere onCBD evaporation AI-doped depositedby system．Intrinsic-ZnO CdS theAI contactwas DC ofCIGS-basedsolar devices，andtop dep