现代集成电路制造工艺原理-第十二章.pptVIP

现代集成电路制造工艺原理 山东大学 信息科学与工程学院 王晓鲲 第十二章 金属化 金属类型 金属淀积系统 金属化方案 金属化 芯片金属化：是应用化学或物理处理方法在芯片上淀积导电金属薄膜的过程。 金属连接术语 互连（interconnect）：由导电材料，如铝、多晶硅或铜制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分。 接触 （contact）：是指硅芯片内的器件和第一层金属层之间在硅表面的连接。 通孔（via）:是穿过各种介质层从某一金属层到毗邻的另一金属层形成电通路的开口。 填充薄膜：用金属薄膜填充通孔，以便在两金属层之间形成电连接。 传统互连流程和双大马士革流程 金属材料的要求 导电率 粘附性 淀积 刻印图形/平坦化 可靠性 抗腐蚀性 应力 金属类型 铝 铝铜合金 铜 阻挡层金属 硅化物 金属填充塞 铝 选择铝 铝有较低的电阻率（20°C时，2.65μΩ-cm） 铜和银比较容易腐蚀 金和银比铝贵很多，在氧化膜上附着的不好 金和硅有高的接触电阻。 和硅有低的接触电阻 容易淀积在硅片上，可用湿法刻蚀而不影响下层薄膜。 对二氧化硅有优异的粘附性。 欧姆接触 欧姆接触（续） 解决结尖刺问题的两个方法 利用铝和硅的合金而不是纯铝 在硅和铝之间增加一个金属阻挡层 电迁徙 电迁徙：由于动量从传输电流的电子转移，引起铝原子在导体中移动，在大电流密度的情况下，电子和铝原子碰撞，引起原子逐渐移动。 铝铜合金 通过淀积含铜0.5%-4%的铝铜合金来控制电迁徙。铜的含量不能超过8%。 铜不容易刻蚀，且薄膜的电阻率增加。 铜 铜的优点 电阻率的减小（从2.65 μΩ-cm降到1.678 μΩ-cm ） 减少了功耗 更高的集成密度 良好的抗电迁徙性能 更少的工艺步骤 对铜的挑战 铜很快扩散进氧化硅和硅。 应用常规的等离子体刻蚀工艺，铜不容易形成图形。 低温下（200°C），铜很快被氧化，而且不会形成保护层阻止铜的进一步氧化。 阻挡层金属 阻挡层金属的作用是阻止层上下的材料互相混合。 有很好的阻挡扩散特性 高电导率 在半导体和金属之间有很好的附着 抗电迁徙 在很薄并且高温下有很好的稳定性 抗侵蚀和氧化 阻挡层金属 难溶金属（熔点高）：钛，钨，钽，钼，钴和铂 钛钨和氮化钛 铜的阻挡层金属 与化学机械平坦化过程兼容 具有好的台阶覆盖，填充高深宽比间隙 可以很薄，使得铜占据最大的横截面积 钽，氮化钽，钽硅氮，氮化钨 硅化物 难熔金属和硅在一起发生反应，熔合时形成硅化物。硅化物具有热稳定性，并且在硅/难熔金属界面有低的电阻率。 TiSi2 TiSi2有两个颗粒相 自对准硅化物 金属填充塞 钨 能均匀填充高深宽比的通孔 禁止硅和第一层金属层之间的扩散 体电阻率52.8 μΩ-cm 铝 低电阻率 溅射的铝不能填充高深宽比的通孔，可以通过高温回流填充通孔。 金属淀积系统 蒸发 溅射 金属CVD 铜电镀 蒸发 在真空系统里加热淀积材料使之蒸发，蒸气分子撞到表面凝结形成薄膜。 缺点 不能产生均匀的台阶覆盖 对淀积合金的限制 溅射 溅射中的物理学 使用氩作溅射离子是因为它较重而且是惰性气体。 溅射的机制：氩离子轰击靶表面时，氩离子的动量转移给靶材料以撞击出一个或多个原子。 三种溅射系统 RF（射频） 磁控 IMP（离子化的金属等离子体）