用MEVVA低能离子注入制备表层SiCSi异质结构及其室温的光致发光特性.PDFVIP

第 26卷 　第 5期 发 　光 　学 　报 Vol26 No5 2005年 10 月 CH IN ESE JOURNAL OF LUM IN ESCEN CE O ct. , 2005 文章编号 : (2005) 用 M EVVA 低能离子注入制备表层 S iC / S i异质结构及其室温的光致发光特性 王 　莉 , 赵艳娥 , 赵福利 , 陈弟虎 (中山大学 光电材料与技术国家重点实验室 ; 物理系 , 广东 广州 　510275) ( ) + 摘要 : 利用金属蒸汽真空弧离子源 M EVVA 进行离子束合成 ,制备了过剂量 C 离子注入到单晶硅衬底的 β 样品。然后利用热退火 ,在表层制备了连续 SiC层 , 形成表层 SiC / Si的异质结构 。利用傅里叶变换红外光 ( ) ( ) ( ) 谱 FTIR 对其成键特征和微结构进行了分析 ,通过光电子能谱分析 XPS 和原子力显微镜 A FM 分析了样 品的成分分布及其表面形貌 。最后对其室温下的光致发光特性随热退火的时间和温度的变化进行了研究 。 n ( ) 结果表明:光致发光谱 PL 表现出 430, 560 nm 两个发光峰 ,分别对应于纳米碳化硅和块状立方碳化硅发光 c 的特征峰 。我们认为小颗粒的晶化碳化硅的尺寸及其相对比例对 PL 发光峰位和强度有较大的影响 ,用纳米 . ( ) 晶粒量子效应 N SUQC 理论和表面态理论对发光现象及其变化规律进行了初步的解释 。 m 关 　键 　词 : 纳米 SiC; 离子注入 ; 光致发光 中图分类号 : O473; O482. 31　　　PACC : 6 170T; 7855　　　文献标识码 : A o c 较少 [ 7 ] 。本 文 采 用 金 属 蒸 汽 真 空 弧 离 子 源 . 1　引　　言 + (M EVVA )技术 ,将过剂量的 C 离子注入到单晶 碳化硅作为一种宽带隙 ( Eg = 2. 3 ～3. 2 eV ) 硅衬底上 ,通过热退火处理 ,在适当的注入能量和 m β 半导体材料 , 由于它具有高热导率 , 高介电常数