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2017-08-21 发布于上海
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fet大信号模型中等效电容方程的改进 improvement of the equivalent capacitance equation in fets large signal model.pdf

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fet大信号模型中等效电容方程的改进 improvement of the equivalent capacitance equation in fets large signal model

第32卷第2期固体电子学研究与进展 V01．32．No．2 2012年4月 OFSSE Apr．，2012 RESEARCH＆PROGRESS FET大信号模型中等效电容方程的改进郑惟彬。 (南京电子器件研究所，南京，210016) 2011-11-08收穑．2012—03—05收改稿摘要：精确地描述FET器件大信号微波特性阻抗对单片微波集成电路设计极其重要．为了能准确地模拟FET 器件大信号微波特性，在大信号器件模型中，有必要研究栅等效电容模型，尤其在高频段．在总结前人研究的基础 GaAs 上。构造了新型的栅源／栅漏电容方程．通过与6×80弘m PHEMT器件大信号负载牵引测试数据的对比，表明：精确的栅等效电容模型极大地提高非线性模型对FET大信号特性的预测能力．这将有助于器件模型和MMIC 设计。关键词：大信号模型i等效电容模型；负载牵引中图分类号：TN386文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2012)02—0105—05 ofthe ent EquivalCapacitanceEquation Improvement inFET7S Model LargeSignal Weibin ZHENG ElectronicDevices (Nanjing Institute，Nanjing，210016，CHN) is tOdescribeFET’S forMMIC Abstract：Itveryimportant impedanceaccurately large—signal ordertosimulateFET’S is tOresearchits characteristic，it design．In largesignal necessary gate modelinthe in on equivalentcapacitance model，especiallyhighfrequency．Based largesignal results，thededucesanew corn— previous paper capacitance gate—source／gate—drainequation．By the resultsofa