半导体物理与器件第三版 第三章2.pptVIP

3.2固体中的电传导3.2.1能带和键模型 在T0K 时 半导体导带和价带的E-k关系图a)T=0k b)T0k 3.2.2 漂移电流电荷密度：N(cm-3), 平均漂移速度?d(cm/s), 漂移电流密度：J = q N ?d A/cm2 还可写成：   为第个i粒子的速度.求和代替了单位体积。单位不变A/cm2 无外力作用时，具有+k 值和 –k值的电子数目相等；有外力作用则不相等，产生电流。 电子能量变化：  dE = Fdx = Fvdt （3.34）漂移电流密度： 3.2.3电子的有效质量 电子在晶格中运动所受的作用力： m* 为有效质量 物理意义：它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用。特别是m* 是可以试验测定的，因而可以很方便地解决电子的运动规律。 有效质量的表达式，即与能量E和波矢k的关系：自由电子： 位于导带底的电子情况 m*是有效质量，由于C10，因此m*0. 有效质量的建立，在导带底的电子运动可看作符合经典规律。对导带底的电子外加一个电场，可将加速度写成：  是有效质量，接近导带底电子的有效质量是一常数。 3.2.4 空穴的概念 电子在不断添充空的状态，其过程相当正电荷在价带中运动。这种电荷载流子称为空穴。 价带中电子的漂移电流：填满的电子能带中电子流减去空着的状态（空穴）流即是价带的电子流： 于是，价带的电子漂移电流可写为： 同理，我们也可以推导出空穴的有效质量。在价带顶能量近似于抛物线，Ev是价带顶能量。则有： 价带顶的电子，在外加电场作用下： 3.3 三维扩展3.3.1硅和砷化镓的k空间 能带图 能带结构图 砷化镓 (直接带隙材料） 硅 （间接带隙材料） 有效质量与能量与波矢的二阶导数成反比，即与能带图的曲率成反比。在不同方向上有效质量不同。 3.4 状态密度函数 电子在晶体中运动可以认为它仍被限制在晶体内。用无限深势阱代表晶体。势阱边长为a 。 状态密度定义： K空间中量子态的分布： a为晶体的线度，体积为V=a3 求k空间中单位体积中的的dE能量间 的量子态数 K空间中的V任一点都是一个允许能量状态的代表点。对应着一个特定的波矢K。任一代表点的坐标在三个坐标轴方向都是?/a的整数倍。空间中有一个代表点所占据的空间是：Vk =?3/ a3 （3.62） 即一个量子态所占据的空间是Vk。而单位k空间中有多少量子态？ 1/ ?3/ a3= a3 / ?3  晶体的晶胞体积 确定k空间的量子态密度： 以K 至K+dk为半径等能面之间的能量间隔是E至E+dE。所以只要计算两个球壳之间的体积4?k2dk..再除于每个量子态所占的体积。就得到在这个两个球壳之间（也是dE)　的量子态数目． 因子2是正负自旋两个状态。 此公式为在单位体积单位能量的状态密度函数。 　3.4.2扩展到半导体自由电子能量和波矢k的关系是抛物线关系。半导体的能带底附近也近似于抛物线关系。所以可以应用自由电子的结果。电子态密度函数： 空穴的状态密度函数： 禁带中不存在量子态。如电子和空穴有效质量相同，则状态密度函数曲线对称： 3.5.3分布函数和费米能级三种统计分布：１，麦克斯韦－波尔兹曼分布：粒子可区分，每个能态所能 容纳的粒子数没有限制。２，玻色－爱因斯坦分布：粒子不可区分，每个能态所能容纳的粒子数没有限制。３，费米－狄拉克分布：粒子不可区分，每个量子态只能容纳一个粒子。符合泡利不相容原理。状态密度函数：　 ，费米能级　　，　　　密度函数代表单位体积单位能量的粒子数，　　　为费米分布函数，表示能量为 E 的一个量子态被电子占据的几率。 当 T=0K时, f(EEF)=1, f(EEF)=0 只有在电子填充水平较低的能级上可以用波尔兹曼分布近似。 计算能量为多少时，费密函数于波尔兹曼分布函数的差别为费密函数的5%。 小　　　结 当原子聚集在一起形成晶体的时，电子的分立能量也就随之分裂为能带。 对表征单晶材料势函数的克龙尼克-潘纳模型进行严格的量子力学分析和薛定谔方程推导，从而得出了允带和禁带的概念。 得出了有效质量的概念。 半