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第十二章 光电式传感器 光电式传感器是将被测参数的变化转换成光通量的变化，再通过光电元件转换成电信号的一种传感器。这种传感器具有结构简单、非接触、高可靠性、高精度和反应快等优点，故在自动检测技术中得到了广泛应用。 第一节光电效应及光电器件 一光电效应 光电元件的理论基础是光电效应。光电效应就是在光线作用下，物体吸收光能量而产生相应电效应的一种物理现象，通常可分为外光电效应、内光电效应和光生伏特效应三种类型。 （一）、外光电效应在光线作用下，电子从物体表面逸出的物理现象，称为外光电效应，也称光电发射效应。基于外光电效应的光电元件有光电管。 （二）、内光电效应在光线作用下，物体电阻率发生变化的现象称为内光电效应，又称为光电导效应。基于内光电效应的光电元件有光敏电阻和光敏晶体管。 (三)、光生伏特效应在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏特效应。基于光生伏特效应的光申元件是光电池。 二、光电元件及特性 （一）、光电管 以外光电效应原理制作的光电管的结构是由真空管、光电阴极K和光电阳极A组成，其符号和基本工作电路如图12-1 所示。当一定频率光照射到光电阴极时，阴极发射的电子在电场作用下被阳极所吸引，光电管电路中形成电流，称为光电流。不同材料的光电阴极对不同频率的入射光有不同的灵敏度，可以根据检测对象是红外光、可见光或紫外光而选择阴极材料不同的光电管。光电管的光电特性如图12-2 所示，从图中可知，在光通量不太大时，光电特性基本是一条直线。 图12-1 光电管符号及工作电路 图12-2 光电管的光电特性 （二）、光敏电阻 光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料的两端装上电极引线，将其封在带有透明窗的管壳里就构成了光敏电阻。光敏电阻的特性和参数如下： 暗电阻 光敏电阻置于室温、全暗条件下的稳定电阻值称为暗电阻，此时流过电阻的电流称为暗电流。 2、亮电阻 光敏电阻置于室温和一定光照条件下测得稳定电阻值称为亮电阻，此时流过电阻的电流称为亮电流。 3、伏安特性 光敏电阻两端所加的电压和流过光敏电阻的电流间的关系称为伏安特性，如图12-3所示。从图中可知，伏安特性近似直线，但使用时应限制光敏电阻两端的电压，以免超过虚线所示的功耗区。 图12-3光敏电阻的伏安特性 4、光电特性 光敏电阻两极间电压固定不变时，光照度与亮电流间的关系称为光电特性。光敏电阻的光电特性呈非线性，这是光敏电阻的主要缺点之一。 5、光谱特性 入射光波长不同时，光敏电阻的灵敏度也不同。入射光波长与光敏器件相对灵敏度间的关系称为光谱特性。使用时可根据被测光的波长范围，选择不同材料的光敏电阻。 6、响应时间 光敏电阻受光照后，光电流需要经过一段时间（上升时间）才能达到其稳定值。同样，在停止光照后，光电流也需要经过一段时间（下降时间）才能恢复到其暗电流值，这就是光敏电阻的时延特性。光敏电阻上升响应时间和下降响应时间约为10-1～10-3s，即频率响应为10Hz～1000Hz，可见光敏电阻不能用在要求快速响应的场合，这是光敏电阻的一个主要缺点。 7、温度特性 光敏电阻受温度影响甚大，温度上升，暗电流增大，灵敏度下降，这也是光敏电阻的另一缺点。 （三）、光敏晶体管 1、概述 这里的光敏晶体管指的是光敏二极管和光敏三极管。它的工作原理也是基于内光电效应。 光敏二极管的结构与一般二极管相似，它的PN结装在管的顶部，可以直接受到光照射，光敏二极管在电路中一般处于反向工作状态，如图12-4（b）所示。在图12-4（a）中给出光敏二极管的结构示意图及符号，图12-4（b）中给出的光敏二极管的接线图，光敏二极管在不受光照射时处于截止状态，受光照射时光敏二极管处于导通状态。 光敏三极管有PNP型和NPN型两种，它的结构、等效电路、图形符号及应用电路如图12-5所示。光敏三极管工作原理是由光敏二极管与普通三极管的工作原理组合而成。如图12-5（b）所示，光敏三极管在光照作用下，产生基极电流，即光电流，与普通三极管的放大作用相似，在集电极上则产生是光电流β倍的集电极电流，所以光敏三极管比光敏二极管具有更高的灵敏度。 (a)结构示意图及符号 (b)接线图 图12-4光敏二极管 (a)结构 (b)等效电路 (c)图形符号 (d)应用电路 （e)光敏达林顿三极管 图12-5光敏三极管 有时生产厂家还将光敏三极管与另一只普通三极管制作在同一个管壳里，连接成复合管型式，如图12-5（e）所示，称为达林顿型光敏三极管。它的灵敏度更大（β=β1β2），但达林顿光敏三极管的漏电流（暗电流）较大，频响较差，温漂也较大。 2、光敏晶体管的基本特性。 （1)、光谱特性 光敏晶体管硅管的峰值