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國立清華大學 奈微與材料科技中心 原子層化學氣相沉積 (ALD CVD) 操作手冊 update:2010/11 ALD CVD 操作步驟 簡介 用途：ZnO薄膜沉積 適用範圍： 使用設備：高敦科技股份有限公司 製程、 操作前檢查 查冰水機水壓與溫度正常運作。 查機台狀態(待機、降溫、鍍膜製程?)。 查chamber內真空度。 登入 開機時，第一個出現的畫面，點選 “使用著權限登入”畫面：先點選等級，再輸入設定值。 等級 出廠設定值 可進入操作的畫面 低階 0 異常訊息 中階 1 控制台、異常訊息 高階 2 全部畫面皆可 接著按進入鍵，選擇欲進入之操作畫面。 操作畫面如下所示，計個操作畫面。 破真空小手動閥 Root (RP) off Ion Gauge OFF PV Off，MV OFF(wait 1 min)[圖之圓形框] Close MKS按鍵 Open Ar：MFC12(HV150-10 on( V24 on( 注意 MKS達1 Torr (馬上關閉PV offClose Ar：MFC12 off ( V24 off ( V25 off [圖之菱形框] V25 On(20 sec) (N2破真空[圖之菱形框] Load Sample及抽真空 open 腔門，取上一階段製程之試片，及放置新試片。(此時N2不會關)。 若是破片需要放上一片檔片在試片座上下部，避免汙染試片座。 平口邊朝外，用氮氣吹掉殘餘的particle。 鎖上基座外部之檔板，鎖一邊螺絲即可。 關上腔門 確定close MKS按鍵。 以手按緊腔門(RV On(open MKS(待Gauge C達 mTorr 切換至TP(Root On，PV On Cold Trap補滿液氮，可幫助建立真空。 待MKS Gauge達0.000 torr(RV Off(wait 5 sec) MV On(wait 3 min)(Ion Gauge On Root Off 待機(約1 hr可達10-7) 回壓 先確認Ion Gauge是否已達10-7 Root On Cold Trap補滿液氮 小手動閥Ar、Zn、H2O、O2電漿(依製程需要開啟 Ion Gauge Off MV Off(wait 1 min) Open Ar：HV150-10 On(V24 On(MFC12 On( MSK達1 Torr( RV ON((迅速按下)→MKS B (控壓在1 Torr) Open H2O：ALD2V-4B On(V9 On(MFC6 On Open Zn：ALD2V-3B On(V3 On(MFC3 On 記錄MKS：PRES = ____Torr；POS=____％，並填寫使用紀錄簿。 升溫 ※ 升溫與持溫共須1小時以上才可進行鍍膜製程 ※ 開筆電(點選shimaden Lite程式 點選進入畫面之加熱器(選擇加熱帶，例1,3,4,7,8基板On 於Shimaden Lite程式(點選左上角FP 93(點選Fix set value(點選set Value(溫度)(PID No(編號)，[ex : 200,2；100,1；0,0](OK 點選Controller Mode(點選Run(OK 鍍膜製程-測背景壓力(管壓與tank蒸氣壓) Cold Trap補滿液氮 Close MFC3、MFC5(HV150-8(H2O)、HV150-6(Zn) Close，待穩定後，記錄BG5及BG3之背景壓力值。 開啟H2O Tank球閥(慢旋到底至紅色open)(等待BG5定並紀錄(比背景壓力高約0.04 Torr)，也利用針閥調整其大小。 開啟Zn Tank球閥(慢旋到底)(等待BG5定並紀錄(確認Zn蒸氣壓比背景壓力高約0.03 Torr) HV150-8(H2O)、HV150-6(Zn) Open(MFC3，MFC5 On待穩定。 鍍膜製程-製程參數設定 回到進入畫面，點選製程參數，設置參數 選擇recipe、秒數、cycle數、step 按載入參數 回控制台(選點製程執行(執行 計算製程時間，每20~30 min時於Cold Trap補滿液氮。 製程結束 加熱器關閉 進入加熱器畫面(關閉基板及加熱帶1(油鍋)Off 於shimaden Lite程式(點Fix set value(點選set value : 0，PID NO. : 0(OK(選擇Controller mode(點選RESET(OK 測管壓 close MFC3及MFC5( HV150-8(H2O)、HV150-6(Zn) Close，待穩定(紀錄BG3及BG5(觀察是否有回到原先壓力值並紀錄)，關閉H2O Tank、Zn Tank上之球閥，再次觀察BG3及BG5是否有回到原先壓力值並紀錄。 chamber抽真