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《电子设计应用》独家拥有《日经电子》中文翻译权 利用SSCG有效抑制EMI 《日经电子》记者堀切近史 本刊编译自《日经电子》 作为新的EMI抑制技术，目前单元)。 别产品中集成了sscG功能，目前 SSCG(扩频时钟发生器)的应用正 SSCG目前广泛应用于家用打 在迅速扩展。 印机、PDP平板电视、DVD播放器元。川崎微电子也开始在180nm与 以往的EMI抑制方法一般是等固定式数字家电设备中，今后可 130nm的产品中提供sscG功能。 在PCB板的设计阶段，通过仿真器能将进一步扩展到车载设备、 与设计规则检查器找到实际情况下 MP3、手机、数码相机等领域。 有效降低峰值 产生电磁辐射干扰的原因，然后修 因为便携式设备是由电池驱动 但是，所有的电磁辐射干扰都 改设计，插入铁氧体磁珠、线圈等 的，因此与固定式设备相比，其电 不可能完全被抑制。SSCG的基本 抗EMI元件。此外，还会使用电磁磁辐射干扰一般较弱。但是，为了 功能仅是改变输入时钟信号的频 波吸收片等材料来降低设计阶段未 实现高画质，最近的便携式设备提 率，再将其输出。也就是通过扩频 能屏蔽的电磁干扰。 高了芯片的工作频率，所以高频电 调制，分散特定频率下电磁辐射干 但是，在很多情况下，仅采用 磁辐射干扰已经很明显。同时，便 扰的峰值能量，使其峰值降低。降 上述的EMI防护方法无法完全抑携式设备还在致力于集成高音质的 低了电磁干扰频谱的峰值，也就有 制电磁辐射干扰，从而导致设计时 音乐播放功能，因此更需要采用 效抑制了共模噪声所引起的电磁辐 间延长、抗EMI元件的成本增加。sscG来抑制电磁干扰。 射干扰。 因此，在现有EMI抑制方法的基础 随着市场的扩大，生产SSCG 对于VccI(日本电磁干扰控 上，如何利用sscG获得更好的相关产品的厂家增加，元件的选择 制委员会)与Fcc(美国联邦通信委 EMI抑制效果受到了人们的关注。 性也更为广泛。2002年及2003年员会)所制定的标准，其中电磁辐 sscG从20世纪90年代开始开以来，富士通、MaXim、精工NPC、射干扰的峰值问题很难解决，而在 发，最初仅应用于PC、打印机等办 瑞萨科技等公司相继投入sscG芯引人sscG之后，干扰峰值就很容 公设备中。美国利盟公司(Lexmark)片的生产，最近旭化成微系统公司 易符合标准。 在技术开发上较为领先，赛普拉斯 也发布了新产品。 sscG降低电磁干扰峰值的功 半导体和IDT等公司也在向Pc市 AsIC供应商也开始为用户提能不只适用于与时钟信号频率相同 场提供具备sscG功能的产品。 供SSCG宏单元。2002年，NEC电的基波，对于包含高次谐波的所有 子在采用250nm工艺的AsIc里集频段都同样有效。这是它与铁氧体 应用领域明显扩大 成了SSCG电路。目前，他们已开磁珠、线圈等现有抗EMI元件最大 2000年以后，随着sscG应用始对采用150nm、r30nm、90nm等的不同。 领域的扩大，为了促进其实用化， 工艺的设计提供SscG宏单元，并 现有的抗EMI元件要根据自 许多半导体供应商都开始生产具有 准备在采用55m工艺的AsIc产品身的电路特性来决定可吸收干扰的 SscG功能的独立元件或IP核(宏中集成SSCG功能。富士通仅在个频率。因此，为了抑制宽频范围的 63 万方数据 眈c加以缸D嚣自即＆4卵抛口咖n肋触舭f五泐叻_D以而陋c％切口 电磁辐射干扰，往往需要增加元件 如果根据时钟系统的数量，对应其 的形式被使用。但目前在开发 数量。特别是在去除高次谐波等高 输出信道一一实现sscG功能的ASIC时，也可选择将相应的宏单 频干扰时，需要在造成干扰的芯片 话，元器件数量会很多，成本也太 元集成到芯片中(见表2)，与采用 中插入许多抗干扰的外围